一、封装基板功能、作用与技术的提高（论文文献综述）
何刚,李太龙,万业付,邵滋人[1]（2021）在《IC封装基板及其原材料市场分析和未来展望》文中研究指明随着5G技术的应用和智能汽车、智能家居走进平常百姓家,半导体市场近年来得到高速发展。IC封装基板作为半导体封装的核心材料,其需求也在逐年增长。本文介绍了IC封装基板及其原材料市场的供需情况,并对基板核心原材料供应商做了背景调研和分析,同时阐述IC封装基板精细线路制造工艺和封装基板技术要求,并展望了未来IC封装基板的发展方向。
郭宵[2]（2021）在《IC基板测试自动传输系统结构设计与机器人动态特性分析》文中提出随着半导体行业的飞速发展,作为芯片封装的核心材料IC基板的需求也不断增加。而半导体测试作为半导体制造领域的一个重要组成部分,对于芯片质量有着极其重大的影响,自动传输系统又作为基板测试系统的主要组成部分,其功能是实现基板快速、准确、高效地在不同工位之间传输,直接体现出测试系统的自动化程度。本文首先对完成基板传输的运动过程进行分析,设计出一种新型的自动传输系统的结构布局并将各部分结构进行设计和建模,最后对自动传输系统的总体结构完成装配。在此基础上,对传输机器人进行避障轨迹规划,对末端执行器进行了结构优化设计,用以提升基板传输过程的稳定性和效率。具体研究内容及结论如下:（1）根据目前国内外常见的自动传输系统通常仅靠传输机器人对工件进行传输的现状,设计出结构更为紧凑,效率更为高效、精度更加精确的双承载台和双拉直机构的自动传输系统的总体布局,将完成基板传输的X、Y、Z和C向的运动分配到自动传输系统的三大部分中,分别是片盒承载台、机器人转台和基板处理台。（2）根据完成基板测试所需要的功能,对自动传输系统的三大部分的各主要零部件、运动机构进行详细的功能设计和结构设计,并对其中的标准零部件进行选型设计,最终对整个自动传输系统完成装配。（3）根据传输机器人对基板的实际传输情况,对传输机器人进行静态避障轨迹规划,设计了两种避障方式,分别是基于中间点轨迹避障方式和回原点避障方式。利用Matlab机器人工具箱对两种避障方式进行运动仿真,得出其运动过程中机器人各个关节的位移、速度和加速度的曲线图,结果表明虽然两种避障方式都可以到达避障目的,但是采用基于中间点的轨迹避障可以使机器人运动过程更为平稳,能更好地完成传输基板的任务,且其运动过程中各关节量变化较小,其最大变化量仅1.878rad,速度、加速度没有发生突变,最大速度为1.761rad/s,最大加速度为2.71rad/s2符合设定的约束条件,对IC基板传输过程的稳定性有着重要意义。（4）末端执行器对于IC基板的稳定传输有着重大影响,为了设计出重量轻、体积小、柔度小、结构可靠的结构,从而提高基板在各个模块之间传输的快速性和平稳性。先利用有限元软件对末端执行器进行拓扑优化设计出初始结构,再利用ACE技术和数学规划的方法进行形状优化设计,最终得到符合强度和刚度要求的末端执行器结构。并对优化前后末端执行器最大应变、质量和一阶模态进行比较,结果表明优化后的结构在满足设计要求的前提下,重量减少了12.65%,实现了轻量化的目标,一阶模态固有频率增加46.75%,抗共振效果明显。
张阳琳[3]（2021）在《铜基高导热绝缘复合材料的制备与其性能调控》文中研究说明目前芯片向着小型化、集成化、高效化和智能化等方向发展,如何提高封装基板的导热能力成为了亟待解决的难题。为了获得高导热绝缘基板材料,本文尝试采用机械球磨方法在高导热的铜颗粒表面包覆一层绝缘涂层,并结合放电等离子烧结技术,制备高导热铜基绝缘复合材料,并通过选用不同绝缘涂层和调整工艺参数实现了复合材料的性能调控。研究结果如下:通过球磨法结合放电等离子烧结技术将微米级铜粉末与四种纳米级绝缘粉末（Si C、MnO2、Mg O和Al2O3）分别混合和烧结成型,制备了四种铜基复合材料。在相同质量比的条件下,探究四种复合材料的微观结构,发现包覆效果差异较大,Si C和Mg O由于其高脆性和低界面吸附性,无法有效包覆在铜粉表面,即便制备的铜基复合材料具有较高的热导率,但其绝缘性较差。虽然MnO2可以均匀包覆在Cu颗粒表面,但MnO2的本征电阻率偏低,因而导致复合材料的绝缘效果较差。值得注意的是,Al2O3/Cu复合材料具有均匀的包覆绝缘层,因Al2O3薄膜极佳的绝缘性,导致制备的铜基复合材料兼具高导热和高绝缘特性,具有进一步探究和应用的前景。以微米级铜粉为基体,纳米氧化铝粉末为包覆材料,研究了不同氧化铝含量对复合材料显微结构、电阻率与热导率等特性的影响。研究表明,绝缘层随氧化铝含量的增加而增厚,电阻率持续增加,而热导率则持续降低。值得注意的是,当氧化铝含量达到15.0 wt%以上时,绝大部分铜粉被氧化铝阻隔开,从而极大地提升了复合材料的电阻率,同时保持了较高的热导率。以w（Al2O3）为15%的Al2O3/Cu复合粉末为研究对象,研究烧结温度对复合材料的性能的影响。结果显示,复合材料的电阻率随烧结温度的增大而下降,而热导率随之增大。最后比较了预先冷压和无冷压的烧结样品的电/热性能,预先冷压后的烧结样品的电阻率明显小于无冷压的烧结样品的电阻率,而其热导率大于相同烧结温度下放电等离子烧结制备的样品的热导率。
李洪钢[4]（2021）在《LED封装基板超精密磨削表面材料去除机理》文中研究指明氮化铝陶瓷具有优异的导热性能,被应用于大功率LED的封装基板。为实现LED微型化和集成化封装,氮化铝陶瓷基板应具备基板厚度薄、面型精度高以及亚表面近无损伤的加工要求。然而,氮化铝陶瓷属于硬脆难加工材料,加工表面易产生微裂纹损伤,严重影响基板强度和可靠性。超精密磨削技术被认为是实现硬脆材料高效低损伤加工的最有前景的加工技术。目前,针对氮化铝陶瓷基板的超精密磨削加工技术研究较少,在超精密磨削下的表面损伤类型以及材料去除机理还缺乏系统研究。因此,深入研究氮化铝陶瓷在超精密磨削下的材料去除机理和损伤形成规律,对于陶瓷基板的高效低损伤超精密加工具有指导意义。论文的主要研究内容和结论如下:（1）通过纳米压痕与维氏压痕实验,研究了氮化铝陶瓷基板在微纳米尺度下的材料力学特性。实验结果表明,氮化铝陶瓷基板的纳米硬度13.88±1.6GPa,弹性模量325.32±7.2GPa,弹性回复率27.45%～29.11%,断裂韧性2.07～2.23MPa?m1/2。氮化铝陶瓷在微纳米尺度下具有硬度和强度分布各向异性的特点,裂纹易沿晶界扩展。以上实验结果可为后续的理论建模提供数据支撑。（2）通过纳米划痕实验系统研究了划痕深度和划痕速度对材料变形过程的影响规律。连续变载荷纳米划痕实验表明,随着划痕载荷的线性增加,氮化铝陶瓷的材料去除过程存在明显的脆塑性转变现象。结合材料力学特性、脆塑性转变临界切削深度模型以及载荷-划痕深度曲线分析可得,氮化铝陶瓷的脆塑性转变临界切削深度在140～240nm。不同划痕速度下的纳米划痕实验表明,提高划痕速度可以减小压头划痕深度,减少裂纹损伤,有利于材料的塑性去除。建立考虑应变率效应的划痕应力场分布模型表明,提高划痕速度降低压头正下方的最大主应力,是减少裂纹损伤促进塑性变形的根本原因。（3）通过氮化铝陶瓷基板的超精密磨削实验,探究了不同材料去除方式下的表面/亚表面损伤类型。在#325、#600砂轮粗磨阶段,磨削表面/亚表面损伤类型为脆性断裂和晶粒剥落留下的破碎坑。在#2000、#5000砂轮精磨阶段,磨削表面损伤类型为磨粒划擦留下的塑性磨纹,亚表面未见明显裂纹。对比磨粒切削深度和脆塑性转变临界切削深度,可以发现,当磨粒切削深度小于140nm时,材料将会以塑性去除。采用#2000和#5000金刚石砂轮超精密磨削可实现氮化铝陶瓷基板的塑性域低损伤加工。
胡光来[5]（2021）在《系统级封装电磁辐射及抑制方法研究》文中进行了进一步梳理随着消费类电子设备日益走向小型化、高速率,今后的封装发展的过程中将始终伴随着严重的电磁干扰问题。本文基于系统级封装中常见的引线键合式球栅阵列（Wire-Bonded Ball Grid Array,WB-BGA）封装和采用溅射镀膜电磁屏蔽方案的新型系统级封装,针对其电磁干扰问题展开研究。针对已经大规模应用于消费类电子设备中的WB-BGA封装,本文给出了一种该封装的精确建模方案,尤其是当前研究涉及较少的片内电感建模。然后基于精确建模的封装仿真模型,仿真得到片内电感和片外结构的远场辐射,通过对比确定了该封装在10 GHz附近辐射超标的主要原因是片内电感。该研究有助于通过仿真建模分析其他含有片内电感的封装,指引日后消费类电子设备中封装的设计。本文基于实际商用的、采用溅射镀膜屏蔽方案的系统级封装,针对其电磁干扰问题中的近场屏蔽性能问题进行了深入的研究。采用理论分析和全波仿真相结合的方法,探究了该封装电磁屏蔽性能的多个影响因素,主要有镀膜的厚度、电导率、缺陷、均匀性、镀膜到地的直流电阻、焊球分布等。依据之前对采用溅射镀膜屏蔽方案的系统级封装电磁屏蔽性能影响因素的研究结果,该封装的辐射泄露主要来自球栅阵列层,因此本文提出了两种优化方案。第一、焊球分布可采用以下优化策略:（1）地焊球的间隔应随着离辐射源的距离增大而逐步增大,从而降低开孔面的电磁场强度;（2）各个方向上都应该分布有地焊球,避免镀膜与地平面之间的缝隙未被切断的情况发生。优化后的焊球分布能够提升屏蔽性能20 d B以上。其次基于缝隙波导理论,将蘑菇型电磁带隙结构（Electromagnetic Bandgap,EBG）应用于封装与地平面之间,能够减少镀膜与地平面之间缝隙处的电磁场强度,从而提高屏蔽性能。仿真结果显示蘑菇形和螺旋形EBG均能够工作频带明显地提升屏蔽性能。
郭怀勇[6]（2020）在《柔性IC封装基板外观缺陷检测问题研究》文中研究表明柔性IC封装基板是一种印制线路板,在航空航天、电子信息行业中大量使用。随着相关产品的微型化,柔性IC封装基板表面线路部分的精度已经达到微米级别,并继续向纳米级别发展,因此对柔性IC封装基板进行外观检测时的精度要求越来越高。本文搭建了基于双视觉成像系统的外观缺陷检测系统。针对覆铜基板外观表面缺陷,研究其高精度检测算法。主要工作如下:（1）基于高密度柔性IC封装基板外观检测现场需求,研究关键部件选型参数的计算方法,设计出合适的双计算机视觉成像系统,并结合高精度三轴运动控制平台、吸附机构及机械平台,组成完整的柔性IC封装基板外观缺陷检测系统。（2）提出一种结合Hessian矩阵特征值和梯度场的图像矫正算法,获取图像方向场,实现对柔性基板图像的矫正。（3）根据柔性基板表面的颜色特点,提出一种基于颜色空间的图像快速分割算法,通过多通道局部直方图自适应阈值法对柔性基板图像铜箔区、文字区、背景区进行分割。（4）提出一种基于相似性的多分辨率图像差异对比算法。首先通过高斯金字塔构建多分辨率图像,然后结合结构相似性原理和离散余弦变换对图像进行比较,从而实现对柔性IC封装基板表面图像的异常检测。（5）针对高密度柔性IC封装基板外观表面的几种常见缺陷,提出基于深度学习的缺陷分类及定位算法,实现异常区域图像中缺陷目标的类型识别和定位。本文为高密度柔性集成电路封装基板生产过程提供了高精度外观缺陷检测系统,解决了自动检测难题,具有工程实用价值。
陈杰[7]（2020）在《高温冗余薄膜热电偶的关键技术及其研究》文中进行了进一步梳理针对普通薄膜温度传感器在测量燃气轮机排气温度时存在测温范围小、可靠性低、响应慢等问题,本文开展了高温冗余薄膜热电偶技术研究,旨在通过热电偶相关理论、冗余结构设计、耦合仿真分析、薄膜溅射技术,初步开发出性能优良的可满足0℃～1000℃测温范围、响应时间小于2秒、高可靠性的快响应高温冗余薄膜热电偶,为新一代大功率燃气轮机排气温度提供检测手段,满足燃气轮机技术发展的需求。本文设计并制作了一种高温冗余薄膜热电偶,旨在实现对燃气轮机排气温度的检测,并对其性能进行研究。本文主要研究内容如下:首先,基于薄膜热电偶的塞贝克效应,讨论了热电偶回路中热电势的来源及产生过程;基于薄膜电子运输原理和尺寸效应,从理论上推导了薄膜电导率的计算公式;提出了薄膜热电偶的冗余可靠性理论,通过对普通薄膜热电偶进行假设检验,建立高温薄膜热电偶可靠性数学模型,并从理论上推导了普通薄膜热电偶和冗余薄膜热电偶的可靠性计算公式。结果表明:随着热电偶工作时间的增加,冗余薄膜热电偶的可靠性越来越接近普通薄膜热电偶的2倍。其次,根据高温冗余薄膜热电偶的设计指标,完成了高温冗余薄膜热电偶的结构、尺寸版图和掩膜版的设计;结合薄膜制备工艺和引线连接方式对高温冗余薄膜热电偶中的各部件所用材料进行了选择和匹配,以确保高温冗余薄膜热电偶在高温下能持续稳定地工作。然后,采用双向流热和单向热固耦合仿真分析方法,对所设计的薄膜热电偶进行有限元分析,得到了传感器内部的流场、温度场以及结构场,高温冗余薄膜热电偶工作仿真试验表明:所设计的薄膜热电偶响应时间不到2秒,并且在承受的工作温度载荷和风力载荷时,应力以及变形在要求范围内。最后,提出高温冗余薄膜热电偶的制作工艺,采用薄膜溅射沉积、光刻、离子束刻蚀及引线等工艺完成薄膜热电偶的制备,并对样品进行了性能研究。结果表明:所制备的铂铑1 0-铂薄膜热电偶在0～1000℃下的输出电动势几乎与标准的S型热电偶相等,最大分度误差为5.919%,最小分度误差为0.114%,其重复性为99.47%左右,符合检定规程的要求,在0～1000℃的测温范围内,薄膜热电偶的稳定性也能满足使用要求。
陈科成[8]（2019）在《功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究》文中认为近年来制造功率电子器件都以细微加工和MOS工艺为基础,从而推动了功率电子器件向集成化、模块化方向发展;高压大功率需求的不断增加以及工艺技术的飞速革新,推动着功率器件向着小体积、高性能、速度快的方向发展,在封装时通过多芯片连接从而实现模块化是大势所趋,由此而引发的电路发热量也迅速提高,这将导致功率模块器件单位体积内所生成的热量急剧累积,使得芯片寿命下降。解决器件散热问题的关键在于选择合适的封装基板,AlN陶瓷覆铜基板以其优良的导热和导电性能,在功率电子器件封装领域得到了广泛的关注与研究,具有非常广阔的应用前景。因此为了获得较高质量的AlN陶瓷覆铜基板,本课题采用厚膜金属化工艺和薄膜金属化工艺制备了AlN陶瓷金属化覆铜样品,通过对工艺的调节与研究,优化了AlN陶瓷金属化覆铜的工艺且获得了性能优良的金属化覆铜基板。本论文主要研究成果如下:（1）在AlN基板上通过丝网印刷的方式刷涂纯CuO浆料,然后在10001100℃下进行气氛热处理,成功获得了厚膜金属化覆铜样品。通过测试发现所获得金属化膜层厚度约为5080μm,最优热处理温度为1075℃,在此温度下所获得的金属化样品性能最优,表面膜层孔隙率最低,膜层方阻为0.458mΩ/□,膜层附着力为15.315 MPa;经分析发现是由于结合界面处铜的氧化物和AlN基板在氧气气氛下发生化学反应,生成CuAlO2和CuAl2O4,对金属化基板结合强度有着重要的影响。（2）通过在AlN基板上预先刷涂一层活性浆料,然后再刷涂CuO浆料的方式对AlN金属化基板金属化膜层进行加厚处理,然后经9501050℃气氛热处理,成功获得了活性厚膜金属化覆铜基板。通过测试可知所获样品膜层厚度有了较大的提升,约为145180μm;最优热处理温度为1000℃,此时表面膜层孔隙率最低,膜层方阻为4.008 mΩ/□,膜层附着力为23.691 MPa;经分析发现,活性浆料中的Al粉和Ti粉在增强结合力的方面起着较为重要的作用,Al粉发生反应生成的Al2O3高温下可以和铜的氧化物发生反应,在相对较低温度时即可生成CuAl2O4,以及Ti粉和AlN基板反应生成TiN等物质均能够有效提高金属化覆铜基板的结合力。（3）通过调节不同金属靶材的工作气压和溅射功率,以台阶仪表征溅射薄膜层厚度,确定了各靶材的最优溅射工艺参数及相应的溅射速率;以最优工艺参数在AlN基板表面分别溅射2μm的W、Mo、Ti、Al膜层,然后将预溅射不同金属膜层的AlN基板再共同溅射金属铜膜层,经1000℃还原性气氛热处理实现了AlN基板薄膜法覆铜。通过测试发现所获得薄膜金属层厚度约为14μm,中间层为W的金属化基板表面膜层状态最优,W的存在可以促进表面铜膜呈现相对强烈的能有效降低膜层缺陷的（111）织构,其表面方阻为5.840 mΩ/□,膜层附着力达25.452 MPa;经分析可知,钨的热膨胀系数较低,可起到缓解热应力的作用,且在热处理时钨和氮可形成高晶格能化合物,从而增强金属化膜层在AlN表面的附着力。
钟智彦[9]（2019）在《面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究》文中研究表明高密度柔性集成电路封装基板（FICS）广泛应用于具有小型化、轻量化、可移动等特性的电子产品中。由于FICS的制作过程十分复杂,所以其任何一道工艺出现不良产品都会对后续生产造成极大的损失。这种高密度柔性IC封装基板的线宽/线距细至10um以下制程,所以必须借助显微镜才能完成采集,此时相比于不需借助显微镜的传统缺陷检测方法其检测难度更大。随着芯片制造工艺的发展,其线宽/线距将进一步降低,进一步增加了基板检测的难度。当使用显微成像采集FICS图像时,基板的纹理结构和缺陷同时被放大,此时的纹理结构与某些缺陷比较类似,例如氧化缺陷等。由于现有方法很容易把基板的纹理结构误判为缺陷,所以迫切需要开发新的缺陷检测方法以满足自动化工业生产。基于上述需求,针对显微成像FICS缺陷图像自动检测的关键技术难题展开了科学研究。本研究的主要研究内容和创新点包括以下四个方面:（1）针对显微成像基板图存在多种未知工业噪声的问题,提出了基于拓扑映射的加权邻域闭合曲线均值模板。实验结果表明,该模板不仅优于现有滤波器,而且有效去除了显微成像基板图像的噪声。（2）针对低倍显微成像氧化缺陷基板图像检测中传统视觉检测方法极易把黑色背景误判为缺陷且严重依赖标准模板的不足,提出了基于拓扑映射的氧化缺陷检测算法。将该方法应用于噪声图像、增强图像和缺陷图像的检测实验,证实其对FICS的背景纹理和光照不敏感,抗干扰能力强,并且鲁棒性好。（3）针对高倍显微成像的氧化缺陷基板图像中传统视觉检测方法极易把黑色背景和基板纹理结构误判为缺陷并且严重依赖标准模板的不足,提出了基于微分几何工具的氧化缺陷检测算法。该方法通过建立样本拟合模型和缺陷检测模型,实现了氧化缺陷的检测,具有快速、实时的特点。相同环境下,只需对拟合样本进行单次建模,即可实现基板缺陷的快速检测,既减少了检测时间,又能更好地满足工业检测的实时性要求。（4）针对显微成像油墨异物基板图像中,图像对比度低并且传统的视觉检测方法极易把黑色背景和贴膜背景误判为缺陷的不足,提出了一种基于微分几何工具的缺陷检测算法。该算法先建立基于曲率的样本拟合模型,再提出基于图像灰度值分析的分段线性函数以提高图像的对比度,最后建立基于概率的缺陷检测模型。相同环境下,可以将样本拟合模型和分段线性函数的相关参数直接应用于后续的待测图像中,提高了缺陷检测的整体效率。实际应用表明,该算法不仅精度高,而且满足柔性基板快速生产的工业实时性要求。本研究获得的成果,不仅实现了上述四种算法的工程应用设计而且验证了其效果。大量实验数据表明,论文所提出的高速、高精度的缺陷检测方法,很好地满足了柔性IC基板快速生产的工业实时性要求。
陈冠羽[10]（2019）在《可阳极键合低温共烧陶瓷（LTCC）材料的研究》文中研究说明硅基微机电系统（Micro-Electro-Mechanical System,MEMS）在消费电子、军事、航空航天等领域有着广泛的应用。低温共烧陶瓷（Low temperature co-fired ceramic,LTCC）技术可以实现电子器件的高密度集成,采用可阳极键合的LTCC基板封装硅基MEMS器件,可以实现器件的三维封装,大幅减小系统和整机的体积和重量,因此可阳极键合的LTCC材料直接影响着硅基MEMS器件的封装特性和综合性能。本论文针对硅基MEMS器件高密度封装的应用需求,设计并制备了Li-Al-B-Si-O（LABS）玻璃+β-Al2O3复相材料和Li-Na-Al-B-Si-O（LNABS）微晶玻璃系的可阳极键合LTCC材料,开展了LNABS微晶玻璃与硅基板在低键合温度和低键合电压下的阳极键合研究,阐述了LNABS微晶玻璃与硅基板的低温、低电压阳极键合机理,建立了LNABS微晶玻璃与硅基板的低温、低电压阳极键合理论模型。研究了铝浆和银浆两种电极浆料与可阳极键合LTCC材料的匹配共烧问题,实现了LNABS微晶玻璃的可阳极键合LTCC材料在硅基MEMS气压传感器中的封装应用,并开发了用于SnSe材料二维生长机理研究的硅基微反应器。本论文的主要研究内容和结果如下:1.LABS玻璃+β-Al2O3复相材料研究系统地研究了LABS玻璃的析晶机理和析晶动力学。XRD和SEM的研究结果表明,LABS玻璃为二维反应析晶机理,析出的晶相为β-锂辉石固溶体,析晶活化能为59.9 kJ/mol,Li+决定了LABS玻璃的析晶。LABS玻璃+β-Al2O3复相材料的烧结温度低于900oC。当β-Al2O3含量低于35%时,主晶相为β-锂霞石,当β-Al2O3含量高于35%时,复相材料的晶相为β-氧化铝,β-锂霞石和β-锂辉石固溶体。LABS玻璃+β-Al2O3复相材料的热膨胀系数随着β-Al2O3含量的增加而增加,当β-氧化铝为32%时,复相材料的热膨胀系数为3.15 ppm/oC（300oC）,与硅的热膨胀系数接近。复相材料的离子电导率由β-锂霞石相决定。通过阿伦尼乌斯拟合发现复相材料Li+的离子活化能在0.87-0.90 eV之间。复相材料的离子电导率和离子活化能同时表明其存在混合碱金属效应。2.LNABS微晶玻璃材料研究设计并制备了烧结温度低于650oC的LNABS微晶玻璃系超低温共烧陶瓷（Ultra-low temperature co-fired ceramic,ULTCC）材料,其主晶相为β-锂辉石。LNABS玻璃的热膨胀系数随着Na2O含量的增加而增加。当Na2O含量为0.5%时,LNABS玻璃的热膨胀系数为3.27 ppm/oC（300oC）,与硅的热膨胀系数接近。与已报道的可阳极键合材料相比,LNABS微晶玻璃和Si的热膨胀系数在60°C到300°C的温度范围内匹配度最好。宽频介电谱的研究表明温度场和电场都增加了材料的离子电导率。当温度高于120oC时,LNABS微晶玻璃的离子电导率（29）1?10-8 S/cm,Li+在玻璃相中以长程跃迁的形式贡献主要的离子电导。宽频介电谱的研究同时表明在相同温度下,随着偏压的增加,碱金属离子的活化能减小。3.LNABS系ULTCC基板-Si基板阳极键合实验研究有效降低了Si-ULTCC基板的键合温度和键合电压,最低键合温度150oC,最低键合电压为200 V。通过对阳极键合过程和键合界面研究,发现Si-ULTCC的低键合温度和低键合电压主要是由碱金属离子的低活化能造成的。ULTCC阳离子聚集区的能谱和二次离子质谱结果表明,碱金属阳离子主要聚集在玻璃相中,表明其主要通过玻璃相迁移。Si-ULTCC的阳极键合机理为:碱金属阳离子在温度场和电场的作用下,迁移至负极,留下非桥氧离子,形成区域电场。在区域电场的作用下,非桥氧离子迁移至硅基板中,与硅发生反应生成硅氧键,从而实现Si基板和ULTCC基板的阳极键合。4.LNABS系ULTCC材料在MEMS气压传感器及硅基微反应器的应用研究将LNABS系ULTCC材料用于硅基MEMS气压传感器的封装,实现了LNABS系微晶玻璃与硅基MEMS气压传感器的阳极键合封装。气压测试结果表明,采用LNABS封装的MEMS气压传感器的精度高,热学稳定性好,且拥有较宽的工作温度范围。根据限域空间沉积二维材料原理设计了微反应器。微反应器沉积的SnSe纳米薄片横向尺寸为30 nm-110 nm,厚度为10 nm–70 nm。
二、封装基板功能、作用与技术的提高（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、封装基板功能、作用与技术的提高（论文提纲范文）
（1）IC封装基板及其原材料市场分析和未来展望（论文提纲范文）
| 0前言 |
| 1 关于IC封装基板 |
| 1.1 封装基板 |
| 1.2 封装基板的市场供需状况 |
| 2 IC封装基板主要原材料介绍 |
| 2.1 封装基板用CCL覆铜板介绍 |
| 2.2 封装基板用低轮廓铜箔介绍 |
| 2.3 封装基板用电子级玻纤布介绍 |
| 2.4 封装基板用阻焊油墨介绍 |
| 3 封装基板精细线路工艺流程介绍 |
| 3.1 封装基板技术要求 |
| 3.2 封装基板精细线路工艺流程 |
| 4 封装基板未来技术发展方向 |
| 5 结束语 |
（2）IC基板测试自动传输系统结构设计与机器人动态特性分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 封装基板测试相关介绍 |
| 1.3 国内外封装基板相关测试技术的发展概况 |
| 1.3.1 国内外封装基板的发展概况 |
| 1.3.2 国内外封装基板测试产业发展概况 |
| 1.3.3 国内外测试技术发展概况 |
| 1.4 传输机器人研究现状 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 2 IC基板测试自动传输系统的总体方案设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 自动传输系统的运动分配与构成 |
| 2.3 自动传输系统的总体方案 |
| 2.4 自动传输系统的工作原理 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 IC基板测试自动传输系统结构功能设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 片盒承载台结构设计 |
| 3.2.1 提升机构的设计 |
| 3.2.2 片盒夹紧机构的设计 |
| 3.3 基板处理台结构设计 |
| 3.3.1 X-Y向运动机构设计 |
| 3.3.2 基板拉直机构的功能设计 |
| 3.4 基板测试自动传输系统的总体机构 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 传输机器人避障实现 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 传输机器人运动学分析 |
| 4.2.1 机器人运动学模型的建立 |
| 4.2.2 机器人运动学方程的建立 |
| 4.3 传输机器人轨迹规划 |
| 4.3.1 轨迹规划的插值函数 |
| 4.3.2 传输机器人的避障问题描述 |
| 4.3.3 传输机器人的避障实现 |
| 4.3.4 传输机器人两种避障方式的仿真实现 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 基板传输机器人末端执行器结构优化设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 末端执行器的拓扑优化设计 |
| 5.2.1 末端执行器的初始设计 |
| 5.2.2 末端执行器的拓扑结构优化设计 |
| 5.2.3 拓扑优化后末端执行器的结构设计 |
| 5.3 末端执行器的形状优化设计 |
| 5.3.1 末端执行器的形状优化设计 |
| 5.3.2 末端执行器形状优化结果分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 |
| 1、发表的论文 |
| 2、申请的专利 |
| 致谢 |
（3）铜基高导热绝缘复合材料的制备与其性能调控（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 封装基板概述 |
| 1.2 封装基板的发展 |
| 1.3 封装基板的分类 |
| 1.4 封装基板的制备方法 |
| 1.5 金属基板的绝缘处理 |
| 1.5.1 阳极氧化法 |
| 1.5.2 微弧氧化法 |
| 1.5.3 热喷涂法 |
| 1.5.4 化学气相沉积法 |
| 1.5.5 溶胶-凝胶法 |
| 1.6 本课题研究的意义和主要内容 |
| 1.6.1 研究的背景和意义 |
| 1.6.2 研究的主要内容 |
| 第2章 实验过程及性能分析 |
| 2.1 实验原料与实验设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器设备 |
| 2.2 实验 |
| 2.2.1 不同绝缘材料/Cu复合材料的制备 |
| 2.2.2 不同Al_2O_3含量的Al_2O_3/Cu复合材料的制备 |
| 2.2.3 不同烧结工艺下Al_2O_3/Cu复合材料的制备 |
| 2.3 微观结构分析与性能测试 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 |
| 2.3.2 表面形貌分析 |
| 2.3.3 密度测量及孔隙率分析 |
| 2.3.4 电阻率测量 |
| 2.3.5 热导率测量 |
| 第3章 不同绝缘材料包覆Cu基复合材料的微观结构和性能分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验结果与分析 |
| 3.2.1 不同包覆物/Cu复合粉末的微观结构分析 |
| 3.2.2 不同包覆物/Cu复合材料的微观结构分析 |
| 3.2.3 不同包覆物/Cu复合材料的密度分析 |
| 3.2.4 不同包覆物/Cu复合材料的电阻率分析 |
| 3.2.5 不同包覆物/Cu复合材料的热导率分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 不同Al_2O_3含量的Al_2O_3/Cu复合材料的微观结构和性能分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验结果与分析 |
| 4.2.1 Al_2O_3/Cu复合粉末的微观结构分析 |
| 4.2.2 Al_2O_3/Cu复合材料的微观结构分析 |
| 4.2.3 Al_2O_3/Cu复合材料的密度分析 |
| 4.2.4 Al_2O_3/Cu复合材料的电阻率分析 |
| 4.2.5 Al_2O_3/Cu复合材料的热导率分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 不同工艺下Al_2O_3/Cu复合材料的微观结构和性能分析 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 不同烧结温度条件下的实验结果与分析 |
| 5.2.1 Al_2O_3/Cu复合材料的微观结构分析 |
| 5.2.2 Al_2O_3/Cu复合材料的密度分析 |
| 5.2.3 Al_2O_3/Cu复合材料的电阻率分析 |
| 5.2.4 Al_2O_3/Cu复合材料的热导率分析 |
| 5.3 冷压后不同烧结温度条件下的实验结果与分析 |
| 5.3.1 Al_2O_3/Cu复合材料的微观结构分析 |
| 5.3.2 Al_2O_3/Cu复合材料的密度分析 |
| 5.3.3 Al_2O_3/Cu复合材料的电阻率分析 |
| 5.3.4 Al_2O_3/Cu复合材料的热导率分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间获得的科研成果 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 |
| 附件 |
（4）LED封装基板超精密磨削表面材料去除机理（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.1.1 LED的发展趋势 |
| 1.1.2 常用的封装基板 |
| 1.1.3 氮化铝陶瓷基板的特性与应用 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 |
| 1.2.1 氮化铝陶瓷的加工方法现状 |
| 1.2.2 工程陶瓷加工过程的材料去除机理与损伤评价研究 |
| 1.3 课题来源及主要研究内容 |
| 2 氮化铝陶瓷基板的材料力学性能研究 |
| 2.1 氮化铝陶瓷基板的纳米力学特性 |
| 2.1.1 纳米压痕测试的基本理论 |
| 2.1.2 纳米压痕实验条件 |
| 2.1.3 载荷-压痕深度曲线与力学特性分析 |
| 2.1.4 纳米压痕表面微观形貌特征 |
| 2.2 氮化铝陶瓷基板的断裂韧性分析 |
| 2.2.1 实验条件 |
| 2.2.2 压痕法测试断裂韧性的计算方法 |
| 2.2.3 裂纹长度与断裂韧性分析 |
| 2.2.4 氮化铝陶瓷的裂纹扩展形式 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 氮化铝陶瓷基板在单颗磨粒划擦下的材料变形机理 |
| 3.1 不同划痕深度下的材料变形特性 |
| 3.1.1 连续变载荷纳米划痕实验条件 |
| 3.1.2 材料变形过程的脆塑性转变现象 |
| 3.1.3 纳米划痕过程的脆塑性转变临界切削深度模型 |
| 3.1.4 氮化铝陶瓷的脆塑性转变临界切削深度分析 |
| 3.2 划痕速度对材料变形过程的影响 |
| 3.2.1 不同划痕速度的纳米划痕实验条件 |
| 3.2.2 划痕速度对划痕表面形貌的影响 |
| 3.2.3 划痕速度对划痕深度的影响分析 |
| 3.2.4 考虑应变率效应的划痕应力场分布 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 氮化铝陶瓷基板超精密磨削表面层损伤规律及形成机理分析 |
| 4.1 超精密磨削实验条件及样件预处理 |
| 4.2 氮化铝陶瓷基板超精密磨削表面层损伤规律分析 |
| 4.2.1 超精密磨削表面损伤检测方法 |
| 4.2.2 砂轮粒度对磨削表面损伤的影响 |
| 4.2.3 超精密磨削亚表面损伤检测方法 |
| 4.2.4 砂轮粒度对磨削亚表面损伤的影响 |
| 4.3 材料去除机理分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（5）系统级封装电磁辐射及抑制方法研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩略词 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 封装技术概述 |
| 1.1.1.1 封装定义及作用 |
| 1.1.1.2 封装发展历程 |
| 1.1.2 电磁兼容问题概述 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容和创新点 |
| 1.4章节安排 |
| 第2章 引线键合式球栅阵列封装电磁干扰辐射研究 |
| 2.1 主要结构辐射原理 |
| 2.1.1 封装盖辐射原理 |
| 2.1.2 差分线辐射原理 |
| 2.1.3 键合线辐射原理 |
| 2.1.4 片内电感辐射原理 |
| 2.2 片外结构精确建模 |
| 2.2.1 散射参数测试与仿真 |
| 2.2.2 远场测试与仿真 |
| 2.3 片内电感精确建模 |
| 2.3.1 实际芯片的几何测量 |
| 2.3.2 电感仿真建模 |
| 2.3.2.1 电感模型的参数 |
| 2.3.2.2 并联谐振电路的参数 |
| 2.4 主要辐射源定位 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 系统级封装电磁屏蔽性能研究 |
| 3.1 仿真模型介绍 |
| 3.2 电磁屏蔽原理 |
| 3.2.1 电磁屏蔽概述 |
| 3.2.2 传输线法 |
| 3.2.3 接地的作用 |
| 3.2.4 小孔耦合理论 |
| 3.3 屏蔽性能影响因素探究 |
| 3.3.1 镀膜厚度、电导率对屏蔽性能的影响 |
| 3.3.2 镀膜缺陷对屏蔽性能的影响 |
| 3.3.3 镀膜均匀性对屏蔽性能的影响 |
| 3.3.4 直流电阻对屏蔽性能的影响 |
| 3.3.4.1 直流电阻的仿真建模 |
| 3.3.4.2 氧化层对屏蔽性能的影响 |
| 3.3.5 焊球分布对屏蔽性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 系统级封装优化设计研究 |
| 4.1 焊球分布优化设计 |
| 4.2 电磁带隙结构优化设计 |
| 4.2.1 电磁带隙结构的基本原理 |
| 4.2.2 仿真模型介绍 |
| 4.2.3 蘑菇形电磁带隙结构 |
| 4.2.4 螺旋形电磁带隙结构 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 个人简介 |
| 主要工作及研究成果 |
（6）柔性IC封装基板外观缺陷检测问题研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 课题来源与问题 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 缺陷检测技术研究现状 |
| 1.3.2 目标检测技术研究现状 |
| 1.3.3 检测设备研究现状 |
| 1.4 研究内容与难点 |
| 1.5 论文结构安排 |
| 第二章 系统设计 |
| 2.1 系统需求分析 |
| 2.2 检测系统整体框架 |
| 2.3 硬件系统 |
| 2.3.1 成像系统选型参数推导 |
| 2.3.2 外观检测系统关键组件选型 |
| 2.3.3 基于双视觉成像系统的外观检测系统 |
| 2.4 软件系统 |
| 2.4.1 界面管理系统 |
| 2.4.2 后台数据库管理系统 |
| 2.4.3 系统检测算法设计 |
| 2.4.4 工作模式设计 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 图像异常检测算法 |
| 3.1 需求分析与算法设计 |
| 3.1.1 需求分析 |
| 3.1.2 算法设计 |
| 3.2 柔性基板外观图像矫正 |
| 3.2.1 矫正算法研究与应用 |
| 3.2.2 图像矫正算法改进 |
| 3.2.3 实验与分析 |
| 3.3 图像颜色分割及关键元素定位 |
| 3.3.1 颜色空间选取 |
| 3.3.2 多通道局部直方图自适应阈值法 |
| 3.3.3 颜色分割与关键元素定位 |
| 3.4 图像差异对比 |
| 3.4.1 结构相似性指标 |
| 3.4.2 差异对比原理 |
| 3.4.3 实验与分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 缺陷分类和定位算法 |
| 4.1 常见缺陷类型及特征分析 |
| 4.2 Yolo检测原理 |
| 4.2.1 核心思想 |
| 4.2.2 网络结构 |
| 4.2.3 损失函数 |
| 4.3 实验与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）高温冗余薄膜热电偶的关键技术及其研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.1.1 课题来源 |
| 1.1.2 研究背景及意义 |
| 1.2 现代燃气轮机排气测温技术 |
| 1.2.1 燃气分析测温 |
| 1.2.2 激光测温 |
| 1.2.3 薄膜热电偶测温 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 薄膜热电偶国外研究现状 |
| 1.3.2 薄膜热电偶国内研究现状 |
| 1.4 主要研究内容及技术路线 |
| 1.4.1 课题主要研究内容 |
| 1.5 本章小结 |
| 第2章 高温冗余薄膜热电偶理论及可靠性研究 |
| 2.1 高温冗余薄膜热电偶的测温理论 |
| 2.1.1 热电效应 |
| 2.1.2 热电势的组成 |
| 2.2 高温冗余薄膜热电偶的电导理论 |
| 2.2.1 薄膜电子运输原理 |
| 2.2.2 薄膜电导率的计算 |
| 2.3 薄膜热电偶的可靠性研究 |
| 2.3.1 普通薄膜热电偶的可靠性分析 |
| 2.3.2 高温冗余薄膜热电偶的可靠性分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 高温冗余薄膜热电偶的设计及材料优选 |
| 3.1 高温冗余薄膜热电偶的设计 |
| 3.1.1 高温冗余薄膜热电偶的结构设计 |
| 3.1.2 高温冗余薄膜热电偶的尺寸设计 |
| 3.1.3 高温冗余薄膜热电偶的掩膜版设计 |
| 3.2 高温冗余薄膜热电偶的封装 |
| 3.3 高温冗余薄膜热电偶材料的优选 |
| 3.3.1 衬底基板材料 |
| 3.3.2 热电极材料 |
| 3.3.3 封装基板材料 |
| 3.3.4 补偿导线材料 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 高温冗余薄膜热电偶的仿真分析 |
| 4.1 高温冗余薄膜热电偶的仿真分析原理 |
| 4.1.1 流热耦合分析原理 |
| 4.1.2 热固耦合分析原理 |
| 4.1.3 流热固耦合分析原理 |
| 4.2 高温冗余薄膜热电偶的流热固耦合分析 |
| 4.2.1 耦合分析的有限元模型 |
| 4.2.2 耦合分析的参数设置 |
| 4.2.3 耦合分析的结果 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 高温冗余薄膜热电偶的制备及性能研究 |
| 5.1 溅射成膜的工艺条件 |
| 5.2 高温冗余薄膜热电偶的制备过程 |
| 5.3 高温冗余薄膜热电偶的性能研究 |
| 5.3.1 高温冗余薄膜热电偶的分度误差研究 |
| 5.3.2 高温冗余薄膜热电偶的重复性研究 |
| 5.3.3 高温冗余薄膜热电偶的稳定性研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术成果 |
| 致谢 |
（8）功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 功率电子器件封装用基板 |
| 1.2.1 有机封装基板 |
| 1.2.2 金属及金属基复合材料封装基板 |
| 1.2.3 陶瓷基封装基板 |
| 1.3 AlN陶瓷概况及应用 |
| 1.3.1 AlN陶瓷概况 |
| 1.3.2 AlN陶瓷基板的应用 |
| 1.4 AlN陶瓷基板金属化 |
| 1.4.1 化学镀金属化 |
| 1.4.2 直接覆铜金属化 |
| 1.4.3 薄膜金属化 |
| 1.4.4 厚膜金属化 |
| 1.5 选题意义与研究内容 |
| 1.5.1 选题意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验药品和实验仪器 |
| 2.1.1 实验药品 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 分析测试方法 |
| 2.2.1 扫描电镜(SEM)及能谱(EDS)测试 |
| 2.2.2 表面铜层孔隙率测试 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD)测试 |
| 2.2.4 膜层厚度测试 |
| 2.2.5 膜层附着力测试 |
| 2.2.6 表面铜层四探针方阻测试 |
| 3 AlN陶瓷基板厚膜法覆铜 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.2.1 配制电子浆料 |
| 3.2.2 AlN陶瓷基板厚膜覆铜 |
| 3.3 实验结果与分析 |
| 3.3.1 温度对表面铜层形貌的影响 |
| 3.3.2 温度对表面铜层方阻的影响 |
| 3.3.3 温度对金属化基板附着力的影响 |
| 3.3.4 温度对金属化基板结合界面的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 AlN陶瓷基板活性厚膜法覆铜 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 实验结果与分析 |
| 4.3.1 温度对表层形貌的影响 |
| 4.3.2 断面微观形貌及能谱分析 |
| 4.3.3 温度对表层方阻的影响 |
| 4.3.4 温度对附着力的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 AlN陶瓷基板薄膜法覆铜 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备 |
| 5.2.1 靶材工艺参数优化 |
| 5.2.2 AlN薄膜法溅射覆铜 |
| 5.3 实验结果与分析 |
| 5.3.1 溅射功率对膜层厚度的影响 |
| 5.3.2 工作气压对膜层厚度的影响 |
| 5.3.3 中间金属层对表面铜层微观形貌的影响 |
| 5.3.4 断面微观形貌及能谱分析 |
| 5.3.5 表面铜层XRD分析 |
| 5.3.6 中间金属层对表面铜层方阻的影响 |
| 5.3.7 中间金属层对金属化基板附着力的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
（9）面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 FICS的产业现状及特点 |
| 1.1.2 FICS制造过程常见缺陷 |
| 1.1.3 FICS基板图像特点 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 视觉检测技术 |
| 1.2.2 基板图像的缺陷检测技术 |
| 1.3 显微成像基板图的关键技术难点分析 |
| 1.4 主要研究内容及结构 |
| 1.4.1 主要研究内容 |
| 1.4.2 本文结构 |
| 第二章 显微成像的FICS图像预处理算法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 基于拓扑映射的显微成像基板图降噪算法 |
| 2.2.1 算法设计 |
| 2.2.2 实验结果及比较 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 氧化缺陷图像的类型及相应算法 |
| 3.2.1 低倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.2 高倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.3 不同环境的氧化缺陷检测算法 |
| 3.3 基于低倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.3.1 算法设计 |
| 3.3.2 实验结果及比较 |
| 3.4 基于高倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.4.1 算法设计 |
| 3.4.2 实验结果及比较 |
| 3.5 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法对比 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 显微成像的FICS图像油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于微分几何工具的油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.2.1 算法设计 |
| 4.2.2 实验结果及比较 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 工程应用设计与验证 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 检测仪的主要功能 |
| 5.3 检测仪的软硬件组成 |
| 5.3.1 硬件组成 |
| 5.3.2 软件组成 |
| 5.4 FICS图像算法的工程设计与验证 |
| 5.4.1 显微成像基板图的降噪算法的工程设计与验证 |
| 5.4.2 低倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.3 高倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.4 显微成像基板图的油墨异物检测算法的工程设计与验证 |
| 5.5 在线检测实例 |
| 5.6 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 1.结论 |
| 2.创新点 |
| 3.展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（10）可阳极键合低温共烧陶瓷（LTCC）材料的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1. 阳极键合技术的发展现状 |
| 1.1.1. 硅基MEMS技术简介 |
| 1.1.2. 阳极键合封装基板的种类 |
| 1.2. 低温共烧陶瓷技术 |
| 1.3. 可阳极键合低温共烧陶瓷材料的研究进展 |
| 1.3.1. 可阳极键合低温共烧陶瓷材料的概述 |
| 1.3.2. Si-LTCC阳极键合的影响因素 |
| 1.3.3. 可阳极键合低温共烧陶瓷基板在半导体器件中的应用 |
| 1.4. 阳极键合原理研究进展 |
| 1.4.1. 键合过程的研究 |
| 1.4.2. 键合界面的研究 |
| 1.5. 本论文选题依据与研究内容 |
| 第2章 材料的制备与表征 |
| 2.1. 样品制备 |
| 2.2.1. 实验主要原料 |
| 2.2.2. 材料制备过程 |
| 2.2. 材料表征与测试 |
| 2.2.1. 玻璃粉体的差热分析 |
| 2.2.2. 体积密度测试 |
| 2.2.3. 物相组成分析 |
| 2.2.4. 材料的微观形貌和微观结构分析 |
| 2.2.5. 材料的微区元素组成分析 |
| 2.2.6. 材料的表面形貌分析 |
| 2.2.7. 材料的热膨胀分析 |
| 2.2.8. 材料的介电性能分析 |
| 2.2.9. 材料的电学性能分析 |
| 2.2.10. 二次离子质谱分析 |
| 第3章 LABS玻璃+β-氧化铝基可阳极键合LTCC材料的研究 |
| 3.1. 引言 |
| 3.2. 实验 |
| 3.3. 结果与讨论 |
| 3.3.1. LABS微晶玻璃 |
| 3.3.2. LABS玻璃+β-氧化铝基复相材料 |
| 3.4. 本章小结 |
| 第4章 LNABS微晶玻璃可阳极键合LTCC材料的研究 |
| 4.1. 引言 |
| 4.2. 实验 |
| 4.3. 结果与讨论 |
| 4.3.1. LNABS微晶玻璃的低温烧结特性研究 |
| 4.3.2. LNABS微晶玻璃的热学特性 |
| 4.3.3. LNABS微晶玻璃的电学特性 |
| 4.3.4. LNABS微晶玻璃的介电特性研究 |
| 4.4. 本章小结 |
| 第5章 Si-LTCC阳极键合研究 |
| 5.1. 引言 |
| 5.2. 实验 |
| 5.2.1. 样品制备 |
| 5.2.2. 样品表征与测试 |
| 5.3. 结果与讨论 |
| 5.3.1. Si-LTCC阳极键合过程的研究 |
| 5.3.2. Si-LTCC阳极键合界面的研究 |
| 5.3.3. Si-LTCC阳极键合阳离子聚集区的研究 |
| 5.3.4. Si-LTCC阳极键合机理模型 |
| 5.4. 本章小结 |
| 第6章 可阳极键合LTCC材料的应用研究 |
| 6.1. 引言 |
| 6.2. 实验 |
| 6.2.1. 样品制备 |
| 6.2.2. 样品表征与测试 |
| 6.3. 结果与讨论 |
| 6.3.1. MEMS气体压力传感器 |
| 6.3.1.1. LTCC基板的制备 |
| 6.3.1.2. LTCC生瓷带与铝、银电极匹配共烧研究 |
| 6.3.1.3. MEMS气体压力传感器的性能研究 |
| 6.3.2. 硅基微反应器 |
| 6.3.2.1. 硅基微反应器的制备 |
| 6.3.2.2. 二维Sn Se纳米薄片的沉积 |
| 6.4. 本章小结 |
| 第7章 全文总结与展望 |
| 7.1. 全文总结 |
| 7.2. 全文展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 攻读博士期间参加的国际学术会议 |
四、封装基板功能、作用与技术的提高（论文参考文献）
- [1]IC封装基板及其原材料市场分析和未来展望[J]. 何刚,李太龙,万业付,邵滋人. 中国集成电路, 2021(11)
- [2]IC基板测试自动传输系统结构设计与机器人动态特性分析[D]. 郭宵. 中北大学, 2021(09)
- [3]铜基高导热绝缘复合材料的制备与其性能调控[D]. 张阳琳. 武汉科技大学, 2021(01)
- [4]LED封装基板超精密磨削表面材料去除机理[D]. 李洪钢. 大连理工大学, 2021(01)
- [5]系统级封装电磁辐射及抑制方法研究[D]. 胡光来. 浙江大学, 2021(01)
- [6]柔性IC封装基板外观缺陷检测问题研究[D]. 郭怀勇. 华南理工大学, 2020(02)
- [7]高温冗余薄膜热电偶的关键技术及其研究[D]. 陈杰. 哈尔滨理工大学, 2020
- [8]功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究[D]. 陈科成. 中国计量大学, 2019(02)
- [9]面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究[D]. 钟智彦. 华南理工大学, 2019(01)
- [10]可阳极键合低温共烧陶瓷（LTCC）材料的研究[D]. 陈冠羽. 中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所), 2019