一、通讯·半导体（论文文献综述）
樊骁[1]（2021）在《“蛇吞象”式并购、产业整合与企业价值研究 ——以闻泰科技并购安世集团为例》文中认为当前经济形势下国内企业普遍面临增长乏力、后劲不足的困境。企业如何通过有效途径迅速完成战略转型和产业升级从而在中国经济新常态的特殊背景下寻找到新的稳定增长点成为亟待解决的问题。并购作为企业最重要、最快捷的投资方式之一,因其在宏观层面能够发挥资源再配置的功能,在微观层面能够决定企业的战略部署和经营边界而逐渐成为了社会各界关注和研究的热点话题。在刚刚过去的百余载,世界范围内已经涌现出了五次在不同的经济发展阶段下各具特色的并购浪潮。中国企业的并购活动虽然具有一定的后发劣势,但是近年来展现出了强劲的发展潜力。2000年,中国企业“走出去”上升为国家战略,我国并购市场涌现出了一大批通过并购走向国际化经营的企业;2008年,全球金融危机在世界范围内引发了行业和公司的重组,大量中国企业开始采用并购的方式迅速攫取战略资源和知识经验。企业并购逐步发展成为企业扩大自身规模、整合产业链以及获取优秀管理模式、先进技术和国际化经验等知识的重要手段。然而,并购市场的快速发展、并购交易数量和金额的激增是否为实施并购的企业创造了价值却没有得到统一的结论,影响企业通过并购获得价值创造或价值损毁的因素以及机制仍需进一步讨论。并购的价值创造被认为来自于并购后的公司从并购过程中获得的超过并购双方价值的独立价值。在并购过程中,组织环境差异、并购双方企业自身特征、交易环节设计和支付方式选择、并购双方完成整合的时间长度和整合深度等众多因素都会对并购的价值创造产生影响。进一步地,结合中国新兴经济体特征研究发现,公司规模、所有制结构、股权结构和并购经验也是并购价值创造的重要影响因素。另外,并购后的价值创造主要来源于并购后整合阶段。企业出于资源获取、战略资产获取、市场寻求和制度寻求的并购动机,通过发挥所有权优势、规避弱势制度环境或利用自身擅长在弱势制度下竞争的优势、学习和链接外部知识撬动知识转移、利用跳板视角跨越资源缺陷的方式来实现并购整合阶段的价值创造。但是,并购的价值创造是一个复杂的、动态的过程。并购战略对政策环境和市场竞争的适应能力弱;并购溢价、融资成本过高;并购后整合速度慢、整合程度低等情形都可能造成企业并购中的价值损毁。因此,并购并非一定能够为企业创造价值,相反可能对企业价值造成破坏。通过详尽分析并购战略、剖析并购过程,厘清造成并购价值创造或价值损毁的关键因素及机制,提高企业并购成功率、实现并购企业价值提升,对每一个企业甚至监管机构而言都具有重大的实际意义。闻泰科技是中国ODM行业的头部企业。2016年,闻泰科技借助资本市场“老牌”壳资源中茵股份成功在A股上市,2018年发布公告并购国际半导体头部企业安世集团。中国半导体行业发展长期以来受到国内先进技术不成熟、国外核心技术封锁的掣肘,中美贸易摩擦以来中国“芯”更是受到前所未有的重视。在此背景下,本次闻泰科技鲸吞安世进军半导体行业的并购案例对于“蛇吞象”式并购、产业整合以及并购价值创造的研究都极具代表性。因此,本文选取闻泰科技“蛇吞象”式并购安世集团作为目标案例,以交易成本理论、资源基础理论、竞争优势理论和协同效应理论为基础,同时梳理了企业并购、并购与产业整合、并购与价值创造的相关文献综述,构建了案例分析的理论框架。随后通过案例研究法,从并购动因、并购绩效、价值创造和风险因素等方面对本次并购过程及其后果进行了详细的剖析,尝试还原闻泰科技通过并购实现企业价值创造的原理与路径机制。最后得出结论:（1）政策导向对行业发展具有促进作用;（2）合理估值能够有效降低企业并购的交易成本,降低并购风险,提高并购成功率及价值创造能力;（3）企业并购的价值创造主要来来源于并购后的整合阶段,协同效应的充分释放是并购为企业创造价值的保障。
郭尚坤[2]（2021）在《基于人工微纳结构增强二维材料光吸收和红外探测的研究》文中研究表明自石墨烯首次发现以来,其优异的电学、光学特性受到人们的广泛关注。由于石墨烯具有宽带吸收以及高载流子迁移率的特性,使其在光电探测领域备受瞩目。随着材料制备技术的发展,类比二维石墨烯材料,涌现出了具有各种特性的新型二维材料,它们由于受到纵向尺度的量子限制,展现出了很多传统半导体所不具备的优异光电性能,这极大的吸引了基于二维材料光电器件的兴趣。然而,原子层级别的厚度的光程使得二维材料的光吸收受限,这是本征二维材料光电器件低响应率的关键因素。近年来,通过微纳光子学结构调控光与物质相互作用,进而增强二维材料吸收,正成为提高二维材料光电器件性能的一种新的发展趋势。本论文主要围绕利用微纳结构调控二维材料光耦合从而增强光吸收和光响应开展研究,从理论和实验上分析了集成微纳光耦合结构二维材料器件光吸收和光响应增强的物理机理,揭示了光耦合结构增强光与二维材料相互作用的内在机制,实现了器件自驱动光响应增强以及二维材料高带宽的完美光吸收性能等。主要创新性的结果如下:1.建立了石墨烯和等离激元微纳谐振腔的集成结构,通过实验数据获得材料的电磁参数,基于有限元电磁场计算方法,理论实现了将入射光完全耦合到复合结构中,强烈的局域光场使得石墨烯吸收得到了明显提高。数值结果表明,石墨烯在共振波长处的吸收率提高至23%,局域模式的最大电场是入射光的35倍以上。相较于传统亚波长光栅集成石墨烯结构的局域场提高了8倍以上。2.为了实现金属-石墨烯-金属的类场效应晶体管红外探测器件的自驱动光响应,我们提出利用非对称集成的等离激元微纳谐振腔,打破局域场增强的对称性,使得石墨烯的光耦合呈现非对称分布。在与耦合天线复合的一端电极处,由于石墨烯与金属结区局域光场增强以及结区面积的增大,使得此处光响应显着提高;而在没有耦合天线但仍具有底部介质层与金属平面的另一端电极处,由于石墨烯受到底部近距离金属平板对光场的抑制作用,降低了金属与石墨烯结区附近的光吸收。最终,两端电极-石墨烯接触结区处,分别的光响应对比度高达105倍。这种超高对比度远远超过之前国内外的相关研究成果。基于这种非对称光响应的超高对比度,我们在红外泛光条件下,几乎零偏压下,实现了显着的净自驱动光响应。相较于一般耦合光栅集成石墨烯器件,等离激元微纳谐振腔集成的石墨烯器件红外光响应提高一个量级以上。3.通过控制顶部金属微结构的宽度,改变谐振腔的腔长,从而实现了等离激元微纳谐振腔集成的石墨烯红外探测器峰值探测波长的调谐。实验表明,通过改变金属微结构条带宽度,复合结构器件峰值光响应从1.3μm红移至1.65μm,光响应共振峰的带宽约为200～300 nm。此外,复合结构器件响应时间小于几个微秒,偏振消光比最高可达30,其光响应机制归因于光热电效应。4.揭示了局域场的极化方向与二维材料各向异性的光吸收的匹配对于二维材料光耦合的重要作用,获得了基于局域场极化方向与二维材料主吸收方向的匹配调控和体系临界耦合调控共同作用大幅提高二维材料光吸收率,并抑制金属耦合结构的光吸收损耗。我们研究了一种常见的光耦合结构,即金属-介质-金属（MIM）结构,证明了它有两种形式:局域场极化方向主要垂直于多层结构平面的磁谐振器形式和局域场极化方向主要平行于多层结构平面的超表面索尔兹伯里屏形式。当超表面索尔兹伯里屏形式的MIM结构与石墨烯结合时,局域场极化方向主要平行于石墨烯平面（即沿石墨烯的主吸收方向）,石墨烯的峰值吸收率在THz波段接近100%,在中红外波段接近90%。与局域场极化方向主要垂直于石墨烯平面（即与石墨烯主吸收方向正交）的磁谐振器形式相比,超表面索尔兹伯里屏形式使石墨烯的光吸收率增强效果提高了1.6～4.2倍,共振吸收增强带宽提高了3.6～6.4倍,金属损耗降低了7.4～24倍。对于单层黑磷（BP）,超表面索尔兹伯里屏形式的MIM结构将BP在3.5μm波长处的吸收率从0.44%提高到31%,比磁谐振器形式的吸收率高5.4倍。另外,带宽也是原来的1.8倍。此外,超表面索尔兹伯里屏形式将单层Mo S2在可见-近红外范围（415 nm到800 nm）的平均吸收率从7.3%提高到68.1%,比磁谐振器形式诱导的吸收率高4.4倍。超越临界耦合的光吸收提高归因于平面内的偏振光场,它有助于二维材料在光吸收竞争中降低了金属的吸收。
薛思玮[3]（2021）在《拓扑节线半金属ZrSiS的低能元激发研究》文中研究说明元激发是凝聚态物理中十分重要的概念,不管是单粒子激发还是集体激发,都对材料的物理性质具有举足轻重的影响。近年来,凝聚态物理在材料的拓扑物性研究上获得了巨大的进步,以拓扑绝缘体和拓扑半金属为代表的拓扑材料不仅极大地开拓了人们对基础固体物理的认知,也带来了丰富的应用前景。对拓扑材料元激发的研究是理解拓扑物性的关键。本文聚焦于拓扑材料元激发的探索,以典型的节线半金属ZrSiS为例,一方面探索了其独特表面态与表面声子的相互作用,另一方面详细研究了与其拓扑能带相关的独特等离激元物性。本文将为节线形拓扑半金属在低维电子学与等离激元光子学中的应用提供研究基础。在第一部分中,我们利用高分辨电子能量损失谱首次获得了覆盖ZrSiS第一布里渊区高对称方向的声子色散谱,发现了其中一支光学模式的异常软化现象。我们建立了电子-声子相互作用模型,分析发现该光学模式的软化是由于表面声子与ZrSiS表面特有的“漂浮”表面态相互作用导致的Kohn异常。在此基础上,我们建立了表面电子-声子相互作用的详细物理图像,通过对声子自能虚部的拟合,我们得出了这支软化声子的平均电声子耦合常数为λ≈0.15。这一结果将有助于理解拓扑节线形半金属的低维输运性质。在第二部分中,我们首次测量发现了 ZrSiS中的三支能量在0.1-1.5 eV之间的等离激元激发。在布里渊区中心处,这三支等离激元的能量分别为0.20、0.50、0.90 eV左右,处于近-中红外频率区间。与理论上对于具有理想圆形节线的拓扑半金属的预测不同,我们发现三支等离激元都呈现出各向同性的色散关系。变温实验表明这三支等离激元色散都呈现出良好的温度稳定性。通过对ZrSiS表面电子态的分析,结合第一性原理电子能带计算和无规相近似框架下对电子损失函数的计算,我们分析出了这三支等离激元对应的电子态来源,发现这三支等离激元都与体系的拓扑电子能带相关,是拓扑电子态等离激元的直接体现。此外,本论文还尝试了磁性氦原子散射谱仪的搭建,愿景是在实现常规氦原子探测材料表面原子起伏与表面声子的基础之上,进一步地探测到磁性材料的表面磁有序结构和磁振子激发。这一部分中主要介绍了磁性氦原子散射谱仪的机械结构设计与电子学控制系统的设计搭建,前者包括单色化氦原子束产生、激发与探测装置,后者包括对于激发态氦原子进行角分辨能量探测的电路与控制模块的设计与实现、软件开发与调试等。这些工作为磁性氦原子散射谱仪的实现提供了技术基础。
郝欢[4]（2021）在《基于半导体制冷技术的冷凝增热谷物干燥试验装置》文中指出国无农不稳,民无粮不安,粮食产业是乡村振兴的基础,保障粮食安全具有深远意义。我国粮食产量近几年均在6亿吨以上,在提高粮食产量的同时,进一步扩展粮食的运输、干燥、储藏及深加工成为一个必须持续性解决的问题。粮食干燥是产后储前的重要环节,是粮食流通领域能源消耗较高的处理单元之一,节能环保是粮食干燥机设计的必然趋势。随着工业技术的高速发展,新技术、新能源、新材料研究的深入与推广,为谷物干燥技术开拓了许多新思路和新手段。半导体制冷技术是近几十年来随着半导体制冷材料的兴起而发展起来的一门新技术,具有无噪音、无振动、环境友好、体积小、重量轻、控制灵活、维修方便等优点。本文首次提出将半导体制冷技术运用在粮食干燥领域,利用半导体制冷贴片冷热面原理,回收粮食干燥尾气中的余热,进行降温除湿,除湿后的余热尾气经过预热循环进入干燥仓,形成内循环式空气加热系统,是绿色环保、高效节能的新方法,为半导体制冷技术运用在粮食干燥冷凝增热领域提供了理论基础。本文主要研究内容如下:（1）半导体制冷技术参数分析及系统装置总体设计方案。根据半导体制冷原理,研究分析其制冷效率及模拟试验数据,分析整个控制系统的主要工作流程及控制任务,设计出机械结构及控制系统软硬件方案。试验整机可保证干燥结构内部干燥介质温度及流速一致均匀且可控,根据试验条件控制各种电器元器件的启停,精确控制干燥介质的温度、风机转速及半导体制冷片的运行周期等,实时采集与监测仓内温度、湿度、风速等,根据不同的试验因素调节各参数设定以保证系统控制精度。在此基础上,设计出基于半导体制冷技术的冷凝增热基础试验装置,模拟固定床式粮食干燥作业过程。（2）PLC电气控制系统在冷凝增热装置中的应用。首先根据控制系统所要完成的控制任务,确定PLC主机型号、温湿度传感器、I/O口的分配及电气接线等,完成控制系统及执行机构的硬件搭建。实现了温湿度传感器的稳定通讯,各执行部分精确无误地启动或停止,电气控制系统运行的稳定性与流畅性为后续试验的成功提供保证,为整机良好运行奠定了坚实基础。（3）LabVIEW人机交互软件系统设计。上位机采用Lab VIEW软件编程设计,根据工作流程设计出较友好且简约的信息交互界面,把复杂的作业流程变为简约的信息处理过程,实现了数据实时采集、处理、存储及界面呈现,目标显示与异常信息警报等。（4）基础试验方案设计及整机性能分析。以玉米为研究对象,根据试验目的与要求对冷凝增热系统装置进行全面试验,分析处理得到整机装置的单位能耗、干燥速率及冷凝强度等数据。控制系统监测总重量以预测玉米的实时含水率,且与实际测量的含水率存在一定的偏差,实际测量含水率比系统测量含水率高1%～2.5%,冷凝强度随着制冷片组数的增多而增大,随缓苏比的增大而减小。确定了在一组制冷片风速1.6m/s的情况下,整体单位能耗最低,一组制冷片最低能耗为5255k J/kg·H2O,节能效果最好。根据中国农业机械流通协会颁布的T/CAMDA6-2019团体标准的要求:直接加热循环式干燥玉米,单位耗热量小于等于7500k J/kg·H2O,本系统实际节能量为30%。
成龙[5]（2021）在《范德瓦尔斯二维材料的太赫兹光谱研究》文中提出随着人类从电力时代踏入信息时代以来,人们对信息量的需求不断增加,这对相应的信息产业材料和器件的发展提出了更高的要求。传统电学材料和电学器件在这些方面面临着巨大挑战,已经无法满足当前的需求。因此人们开始尝试寻找新型材料和器件,以期打破现存的技术瓶颈。自2004年石墨烯成功被发现以来,因其与块体石墨截然不同的优良的电学、光学、力学等性能以及全新的物理特性,受到世界范围内科研工作者的广泛关注。以石墨烯为代表的单原子层尺度量级的范德瓦尔斯二维电子材料和器件技术极有希望突破目前的技术极限,是当前研究的重点方向之一。然而,在对这一类二维度材料的研究中,存在一些之前的传统研究手段无法解决的问题。例如,在二维电子材料和器件的制备和测试过程中,单原子层尺度的材料和器件非常敏感且极易损坏。不仅如此,X射线光谱、拉曼光谱、可见光谱、红外光谱等传统的光学测试手段,很难对这类材料中存在的丰富的弱相互作用进行有效鉴别和探测。这极大地限制了这类材料中新型物理机制的发掘及其在相关产业发展中的应用。所以,非常需要一种低能量、高分辨率和无损的研究手段来对二维电子材料进行研究。太赫兹（THz）光谱技术因其频段的特殊性及其低能量（meV）、高灵敏度、以及光学测试手段特有的超快探测能力等特点,是范德瓦尔斯二维电子材料和微纳结构器件研究的一件利器。并且,已经在一些典型的二维电子材料体系的研究中已经取得了突破性的进展。太赫兹波（Terahertz Wave）根据其波长范围被称为亚毫米波,通常是指频率在1011到1013 Hz频段的电磁波,介于微波与远红外光谱带之间。近几十年来,随着太赫兹源及探测技术的不断发展和日趋成熟,使得这一在光谱学上一直存在的空白得以填补。太赫兹频段介于宏观电磁学和微观光电子学之间,具有其他频段电磁波所不具备的一些独特的性能和优势。因此,具有非常重要的理论研究价值和巨大的应用潜力,越来越受到科研工作者的关注和重视。太赫兹技术在未来将给通信、军事、安全、医学成像、天文遥感、生物化学检测等领域带来革命性的影响。本论文在国家自然科学基金和国家重点研发专项项目的支持下,自主搭建了强磁场下的太赫兹时域谱测试系统。并选取目前热门的二维电子材料,如石墨烯、Cr2Ge2Te6、MnPS3等,提出这些材料中存在的科学问题,并且以太赫兹时域光谱技术为主导对其进行研究。本论文由以下六个部分组成:第一章对太赫兹技术及其在二维材料研究中的应用做了概括介绍。第一节对二维电子的发展历程及太赫兹在其研究中的必要性做了简单介绍。第二节首先对太赫兹波的特性及其优势做了介绍;其次,系统地介绍了太赫兹技术在各个领域中的发展和应用现状。第三节沿着近年来二维材料的发展历程,介绍了伴随着二维零带隙材料、二维半导体材料、二维半导体磁性材料的发展,结合二维电子材料研究中遇到的问题和困难,叙述了太赫兹光谱技术在二维电子材料研究目前的进展和机遇。第二章详细介绍了太赫兹时域光谱系统的搭建和拓展过程。第一节介绍了目前应用比较广泛的太赫兹波的产生和探测方法。第二节介绍了太赫兹时域光谱系统光学光路部分的搭建过程。第三节利用NI Labview程序实现了太赫兹时域谱光学系统的驱动、信号采集和初步的数据处理。第三节对太赫兹时域谱系统信号的分析和通过后续数据处理获得太赫兹频段光学、电学、磁学信息的方法做了系统介绍。第三章基于零带隙二维电子材料石墨烯,设计并制备了一种太赫兹波应力调制器原型。采用自主搭建的太赫兹时域谱系统,对其应力调制特性进行了系统研究。研究表明,该器件具有优异的调制效果:调制深度大,在1 THz处的调制深度可达26%;可以实现正负双向调制;得益于其低插入损耗,该器件具有低功耗的特点;并且具有优异的重复性和稳定性。第四章选取二维铁磁半导体材料Cr2Ge2Te6为研究对象,利用THz-TDS对其在不同温度和磁场下的响应进行了表征。观察到了一种高效的单色太赫兹波发射效应。并且基于其特征分析,发现该效应为一种基于范德瓦尔斯声子极化子（phonon-polariton）的电磁波辐射机制。第五章基于二维反铁磁半导体材料MnPS3,研究了其在太赫兹泵浦作用下所产生的超快非线性光学效应。研究表明,对于MnPS3材料,其对应的超快光学效应主要来源于与磁性无关的非线性电光克尔效应,并且该效应具有强各向异性。最后,对比了与红外光泵浦作用的区别。第六章为全文的总结和后续展望。
刘伟岩[6]（2020）在《战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角》文中研究说明2008年经济危机后,为摆脱经济下行的轨道,美国、日本、德国先后提出了“重振制造业”（2009年）、日本版“第四次工业革命”（2010年）、“工业4.0”（2012年）等战略计划,而我国也于2015年提出了“中国制造2025”的行动纲领。这些战略规划的陆续出台拉开了以大数据、云计算、物联网（Io T）、人工智能（AI）等为标志的新一轮科技革命的帷幕。而作为第二经济大国,我国应如何借助于这一难得机遇来推动国内产业升级则成为亟待思考的问题。回顾日本走过的“路”可知,其也曾作为“第二经济大国”面临过相似的难题,且从中日经济发展历程比较和所面临的“三期叠加”状态来看,我国现阶段也更为接近20世纪70年代的日本,而日本却在当时的情况下借助于以微电子技术为核心的科技革命成功地推动了国内产业的改造升级。基于此,本文以日本为研究对象并将研究阶段锁定在其取得成功的战后至20世纪80年代这一时期,进而研究其所积累的经验和教训,以期为我国接下来要走的“路”提供极具价值的指引和借鉴。在对熊彼特创新理论以及新熊彼特学派提出的技术经济范式理论、产业技术范式理论、国家创新体系理论和部门创新体系理论等进行阐述的基础上,本文借助于此从创新体系的视角构建了“科技革命推动产业升级”的理论分析框架,即:从整体产业体系来看,其属于技术经济范式转换的过程,该过程是在国家创新体系中实现的,且两者间的匹配性决定着产业升级的绩效;而深入到具体产业来看,其又是通过催生新兴产业和改造传统产业来实现的,对于此分析的最佳维度则是能够体现“产业间差异性”的部门创新体系,同样地,两者间的匹配性也决定着各产业升级的成效。回顾科技革命推动日本产业升级的历程可知,其呈现出三个阶段:20世纪50～60年代的“重化型”化,70～80年代的“轻薄短小”化,以及90年代后的“信息”化。其中,“轻薄短小”化阶段是日本发展最为成功的时期,也是本文的研究范畴所在。分析其发生的背景可知:虽然效仿欧美国家构建的重化型产业结构支撑了日本经济“独秀一枝”的高速发展,但在日本成为第二经济大国后,这一产业结构所固有的局限性和问题日渐凸显,倒逼着日本垄断资本进行产业调整;而与此同时,世界性科技革命的爆发恰为其提供了难得的历史机遇;但是这种机遇对于后进国来说在一定意义上又是“机会均等”的,该国能否抓住的关键在于其国内的技术经济发展水平,而日本战后近20年的高速增长恰为其奠定了雄厚的经济基础,且“引进消化吸收再创新”的技术发展战略又在较短的时间内为其积累了殷实的技术基础。在这一背景下,借助于上文所构建的理论分析框架,后文从创新体系的视角解释了战后以微电子技术为核心的科技革命是如何推动日本产业升级以及日本为何更为成功的。就整体产业体系而言,科技革命的发生必然会引致技术经济范式转换进而推动产业升级,且这一过程是在由政府、企业、大学和科研机构以及创新主体联盟等构建的国家创新体系中实现的。战后科技革命的发源地仍是美国,日本的参与借助的是范式转换过程中创造的“第二个机会窗口”,换言之,日本的成功得益于对源于美国的新技术的应用和开发研究,其技术经济范式呈现出“应用开发型”特点。而分析日本各创新主体在推动科技成果转化中的创新行为可以发现,无论是政府传递最新科技情报并辅助企业引进技术、适时调整科技发展战略和产业结构发展方向、制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度、采取措施加速新技术产业化的进程、改革教育体制并强化人才引进制度等支持创新的行为,还是企业注重提升自主创新能力、遵循“现场优先主义”原则、实施“商品研制、推销一贯制”、将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节以及培训在职人员等创新行为,或是大学和科研机构针对产业技术进行研究、重视通识教育和“强固山脚”教育以及培养理工科高科技人才等行为,亦或是“政府主导、企业主体”型的创新主体联盟联合攻关尖端技术、建立能够促进科技成果转化的中介机构、联合培养和引进优秀人才等行为都是能够最大限度地挖掘微电子技术发展潜力的。而这种“追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式间的相匹配正是日本能够更为成功地借力于战后科技革命推动产业升级的根因所在。进一步地从具体产业来看,科技革命引致的技术经济范式转换表现为新兴技术转化为新兴产业技术范式和改造传统产业技术范式的过程,这也是科技革命“双重性质”的体现。而对这一层面的分析则要用到能够体现“产业间差异性”的部门创新体系。在选取半导体产业和计算机产业作为新兴产业的代表,以及选取工业机器产业（以数控机床和工业机器人为主）和汽车产业作为微电子技术改造传统机械产业的典型后,本文的研究发现:由于这些产业在技术体制、所处的产业链位置、所在的技术生命周期阶段等方面的不同,其产业技术范式是相异的,而日本之所以能够在这些产业上均实现自主创新并取得巨大成功就在于日本各创新主体针对不同的产业技术范式进行了相应的调整,分别形成了与之相匹配的部门创新体系。而进一步比较各部门创新体系可知,日本政府和企业等创新主体针对“催新”和“改旧”分别形成了一套惯行的做法,但在这两类产业升级间又存在显着的差异,即:日本政府在“催新”中的技术研发和成果转化中均表现出了贯穿始终的强干预性,尤其是在计算机产业上;而在“改旧”中则干预相对较少,主要是引导已具备集成创新能力的“逐利性”企业去发挥主体作用。作为一种“制度建设”,创新体系具有“临界性”特点且其优劣的评析标准是其与技术经济范式的匹配性。日本能够成功地借力于以微电子技术为核心的科技革命推动国内产业升级的经验就在于其不仅构建了与当时技术经济范式相匹配的国家创新体系,而且注重创新体系的层级性和差异性建设,加速推进了新兴产业技术范式的形成,并推动了新旧产业的协调发展。但是,这种致力于“应用开发”的“追赶型”创新体系也存在着不可忽视的问题,如:基础研究能力不足,不利于颠覆性技术创新的产生,以及政府主导的大型研发项目模式存在定向失误的弊端等,这也是日本创新和成功不可持续以致于在20世纪90年代后重新与美国拉开差距的原因所在。现阶段,新一轮科技革命的蓬勃兴起在为我国产业升级提供追赶先进国家的“机会窗口”的同时,也为新兴产业的发展提供了“追跑”“齐跑”“领跑”并行发展的机遇,并为传统产业的高质量发展带来了难得的机会。由于相较于20世纪70年代的日本,我国现阶段所面临的情况更为复杂,因此,必须构建极其重视基础研究且具有灵活性的国家创新生态体系,重视部门创新体系的“产业间差异性”,形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系,以及建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系等。
李金朋[7]（2021）在《基于自组装半导体量子点的量子光源及多光子干涉实验研究》文中指出光子作为现今量子信息处理的重要物理载体,也是20世纪90年代最早被开发出来的物理系统之一。然而二十多年间的多光子干涉和纠缠实验研究,绝大多数是基于本质上是概率性过程的自发参量下转换光子对源（SPDC）。这种光源具有不可避免的多对效应,加之只有小于10%的产生概率,极大地限制了基于这种光源的多光子实验的可扩展性。目前达到的12个光子和18个量子比特的纠缠操作几乎接近现实可达到的上限了。自组装半导体量子点,作为一种“人造原子”,其既有和晶体类似的能带结构,又有和自然原子类似的非谐振的分立能级。其内部激子态的激发再跃迁辐射过程本质上可以是一个确定性的过程,即可以通过光学脉冲确定性地泵浦量子点到激发态,再跃迁辐射实现确定性的单光子源、纠缠光子对源、多光子簇态源等。而且通过恰当的泵浦方式和与合适的微纳结构的耦合,这些光源辐射的光子的效率、纯度、全同性和保真度等,理论上都都可以接近完美。正是在这样的背景下,本文利用脉冲共振激发与微腔耦合的自组装半导体量子点,实现了同时具有高效率、高纯度、高全同性、高保真度的确定性单光子源和纠缠光子对源。并利用这个单光子源,开展了基于确定性光源的多光子纠缠和预报型光子纠缠门的实验研究。具体包括如下:1.本文分析了利用量子点产生优质单光子源的基本原理和难点,并介绍了利用脉冲共振激发与微柱腔弱耦合的半导体量子点,实现了优质的单光子源的工作。其收集效率高达66%的同时,具有99.1%的纯度和98.5%的全同性（不可区分性）。并且在长达14.7μs的发射时间间隔内的两个光子,仍可以保持高于90%的全同性。这为开展基于确定性单光子源的多光子干涉和纠缠实验研究开辟了道路。2.本文分析了利用量子点产生优质纠缠光子对源的基本原理和限制,并介绍了利用双光子脉冲共振激发与环形布拉格腔（CBG）弱耦合的半导体量子点,实现了优质的纠缠光子对源的工作。其单对的产生效率达到0.59的同时,具有0.9的保真度、0.62的收集效率和0.9的双激子光子的全同性。3.利用1.中发展的量子点优质单光子源,结合快速、确定性的光子开关,我们将一个单一空间模式的单光子源解复用多个不同空间模式的、全同的、时钟同步的单光子源。并利用这些单光子源,首次开展了四光子Green-berger-Horne-Zeilinger（GHZ）态和线性簇态（Cluster state）制备的实验研究。获得了～13Hz的态制备产率,四光子GHZ和Cluster state的保真度分别为0.790（0.009）和 0.763（0.004）。4.利用3.中开发的多个单光子源,我们演示了用两个单光子辅助的预报型两光子间的控制非门（C-NOT）的实验,并利用这个纠缠门制备了预报型的贝尔纠缠光子对。获得的纠缠门操作的保真度为0.878（0.012）,操作频次约85/min,预报效率约0.8%。其中操作频次和预报效率指标,高出同类型实验至少一个数量级。
谢伟[8]（2020）在《铁钒氧化物相结构、相平衡及热力学性质》文中指出钒是一种重要的战略资源,广泛应用于钢铁、有色金属、化工、航空航天等领域,被誉为“现代工业的味精”。我国有丰富的钒钛磁铁矿资源,提高提钒的工艺水平以及加快钒产品的研发,对于高效利用钒资源有重要的意义。转炉提钒的工艺水平主要由钒渣决定,因此研究铁钒氧化物体系（钒渣最主要组成）相平衡及热力学性质,能够更加深入了解铁钒氧化物在转炉中的热力学行为,从而对造渣制度的改进和钒渣品位的提高有重要的理论指导意义,同时也是构建多元钒渣体系热力学数据库的基础。此外,具有多种价态的铁和钒能够形成丰富的三元铁钒氧化物FexVyOz,为了理解材料从微观到宏观多个尺度的各类现象与特征,有必要从电子结构层面对其进行深入研究,从而有助于开发出更优性能的铁钒氧化物材料。本文结合实验测定、相图计算和第一性原理计算对铁钒氧化物相结构、相平衡和热力学性质进行全面、深入的研究,为转炉提钒过程物理化学及铁钒氧化物材料设计提供所需的相图和热力学数据,同时阐明了 FeV2O4尖晶石连续结构相变机理以及FeVO4和Fe2V4O13半导体能带结构和声子谱等微观特性。主要研究成果如下:（1）通过高温平衡淬火法测得FexO-V2O3体系在1273-1808 K、氧分压为10-15-104 atm范围内的相图。随着氧分压的升高或温度的降低,铁氧化物在（V2O3）s.s.和铁钒尖晶石中的溶解度增加,钒氧化物在（FeO）s.s.和铁钒尖晶石中的溶解度减小。高熔点的铁钒尖晶石和FexO通过共晶反应形成低共熔混合物,这为钒渣溶解铁钒尖晶石提供了热力学依据。根据（FeO）s.s.、（V2O3）s.s.和铁钒尖晶石固溶度与氧分压的关系,提出了相应的结构模型:（Fe2+,Fe3+,V3+）xO、（V2+,V3+,V4+,Fe3+）2O3 和（Fe2+,Fe3+,V3+）[Fe2+,Fe3+,V3+,□]2O4。（2）通过实验和理论计算丰富了铁钒氧化物的热力学数据。利用差示扫描量热测得FeVO4、Fe2V4O13、FeV2O4和FeV3O8的高温热容,结果表明晶格振动的非简谐效应对FeV2O4和FeV3O8热容的贡献更大。通过第一性原理计算获得铁钒氧化物的标准生成焓,平均绝对误差为0.026 eV·atom-1。根据Fe+FeV2O4+V2O3三相平衡氧分压分别得到FeV2O4在1623 K和1773 K的标准反应吉布斯自由能:-183.51±0.47 kJ·mol-1 和-174.81±0.51 kJ·mol-1。利用Fe+尖晶石两相平衡氧分压和铁钒尖晶石阳离子分布,分别得到铁钒尖晶石固溶体中Fe3O4和FeV2O4组元活度。（3）根据相图计算方法建立了 Fe-V-O体系全浓度范围的热力学数据库,获得一套合理、自洽的模型参数用来描述各相的吉布斯自由能,计算的相图和热力学性质与实验值吻合,揭示了变价铁钒氧化物相平衡关系随成分、温度、氧分压的变化规律。（4）通过第一性原理计算解释了导致FeV2O4连续相变的Fe2+和V3+轨道有序演变过程:Fe2+轨道态从dz2变为dx2-z2,再变为dx2-y2,最后稳定在dy2-z2;V3+中的一个电子分别占据dxy、dxz、dxy和dyz轨道,第二个电子则分别占据dxz±dy、dy±dy、dxz±dy和dy±dxz轨道,且分别在ab、ac、ab和bc平面内沿着c、b、c和a轴交替排列。轨道有序的驱动力来自姜-泰勒效应和电子关联效应的共同作用。自旋轨道耦合效应对FeV2O4电子结构和轨道有序没有影响。（5）通过第一性原理计算阐明了 FeVO4和Fe2V4O13半导体的微观电子特性。能带结构表明它们属于间接带隙半导体,同时具有光解水制氧的能力。声子谱没有虚频说明结构在动力学上稳定,更短的V-O键长导致高频区只有V和O原子的振动。分配了Γ点全部模式的拉曼和红外振动频率,根据原子位移得到不同频率范围的振动类型。
余建刚[9]（2020）在《氧化镓基光电探测器的制备及其性能研究》文中指出由于臭氧层对200～280 nm波段紫外辐射的完全吸收,此波段在大气层中几乎不存在,因此我们称之为“日盲”波段。基于此波段的紫外探测器由于具有背景噪声低和虚警率低等优点,其在紫外制导、紫外空间预警和导弹预警等军事领域和在高响应火灾预警、电晕检测、大气环境监测等民生领域有着广泛的应用前景,并受到研究者的广泛关注。在众多宽带隙半导体中,β-Ga2O3作为一种新型超宽禁带半导体材料,其独特的化学和物理特性、较宽的带隙（～4.9 e V）以及低廉和简单的制备工艺等优点,是制备日盲紫外光电探测器的天然最佳候选材料。近年来,尽管基于β-Ga2O3基光电探测器的研究已取得很大进展,但受困于较差的外延β-Ga2O3质量以及比较单一的器件结构,使探测器具有较低的光谱响应度和较慢的光谱响应速度,从而不能满足商业化的需求。因此,基于高质量的外延β-Ga2O3薄膜实现高响应、高灵敏性的探测器仍需要不断努力。基于上述研究背景,本文开展了高质量外延β-Ga2O3薄膜的工艺优化和基于β-Ga2O3薄膜的高性能日盲紫外光电探测器的研究,从改善外延β-Ga2O3薄膜质量、优化器件结构和修饰器件表面三个方面入手,期望能够实现高结晶度、低氧空位等缺陷的β-Ga2O3薄膜材料,以及高响应、高灵敏性的β-Ga2O3基紫外光电探测器。论文的主要研究内容和主要结论如下:1)基于脉冲激光沉积技术（PLD）对蓝宝石衬底外延β-Ga2O3薄膜及后续薄膜质量的改善工艺进行优化。系统地研究了衬底温度、退火温度和退火环境对β-Ga2O3结晶质量、表面形貌和光学带隙的影响。研究结果表明:适当增加衬底温度,可以为沉积粒子在衬底表面迁移提供足够的能量,使β-Ga2O3薄膜从非晶态转变为多取向的纳米晶态。在高温下退火,有利于薄膜二次结晶,使β-Ga2O3薄膜从纳米晶态转变为高结晶的单晶态。但退火温度高于900°C时,会引起衬底中Al原子向β-Ga2O3薄膜中扩散,导致薄膜光学带隙变大,同时大部分氧原子的逸出,导致β-Ga2O3薄膜中氧空位浓度增加以及更多的Ga3+转化为Ga1+,使β-Ga2O3晶体结构受到破坏。在氧气中退火,氧原子的补偿使β-Ga2O3中的氧空位浓度得到降低和表面粗糙度得到改善,但间隙氧原子的引入造成光学带隙变小。在氮气中退火,氮元素的掺杂促使β-Ga2O3的晶粒增大和薄膜结晶质量提升,但较大的晶粒引起表面粗糙度增大。在空气中退火,受空气中杂质的影响,会产生更多的OH-,从而引起β-Ga2O3中氧空位等缺陷增加。综上所述可知,外延高结晶度、低氧空位浓度β-Ga2O3薄膜的优化工艺为:600°C的衬底温度并在氧气氛围和800°C下退火。2)基于工艺优化的β-Ga2O3薄膜研制了β-Ga2O3基MSM型日盲紫外光电探测器。在15 V的偏压下,探测器的光暗比达到699.6,光谱响应速度达到0.64 s/1.12 s以及光谱响应度达到6.03A/W。证明了优化β-Ga2O3中的氧空位浓度,可以有效提高探测器的性能。为了进一步降低探测器暗电流,论文提出了具有非对称电极几何结构的MSM型（a-MSM）探测器。在光照下,非对称肖特基势垒的存在,使β-Ga2O3基a-MSM型探测器表现出自供电特性。在0 V偏压下,a-MSM型探测器的光谱响应度达到0.487 A/W,探测率达到6.13×1010 Jones;在-15 V的偏压下,暗电流达到21.9 n A,降低为原来的10.4%,但其光谱响应度降低为原来的58.5%。为了进一步优化a-MSM型探测器的光谱响应度,论文引入金属Pt纳米颗粒修饰β-Ga2O3基a-MSM型探测器表面。在光照射下,金属Pt纳米颗粒产生局域表面等离激元效应即增强了光的吸收、提高器件的光电特性。在0 V偏压下,Pt NPs@β-Ga2O3基a-MSM型探测器的光谱响应度达到1.532 A/W,探测率达到2.18×1011 Jones,与原器件相比较分别提高315%和354%。证明了非对称电极与金属Pt纳米颗粒的协同作用是提高光电探测器光电特性的一种有效方法。3)针对β-Ga2O3由于较低导热率产生自热效应影响器件性能的问题,论文选择具有优良导热性能的p型4H-Si C为衬底,并通过引入(AlxGa1-x)2O3缓冲层,降低衬底与外延β-Ga2O3界面间的缺陷密度,成功制备了β-Ga2O3/4H-Si C p-n异质结自驱动紫外光电探测器。在0 V偏压下,探测器的光暗比超过103,光谱响应度达到10.35m A/W,同时探测器的光谱响应速度提升至毫秒级,探测器性能指标已优于同类结构的其它探测器。4)针对β-Ga2O3基异质结界面氧空位产生大量界面态,恶化器件性能的问题,论文选择p型氧化物NiO,使NiO中的O补偿界面处的氧空位,减少界面缺陷,论文成功制备了β-Ga2O3/NiO全氧化物异质结自驱动紫外光电探测器。在0 V偏压下,探测器的光谱响应度、探测率和光谱响应速度分别达到了0.245 m A/W、1.8×108 Jones和12 ms/8 ms。为了进一步优化该异质结探测器性能,论文引入金属Pt纳米颗粒对异质结探测器表面进行修饰。在0 V偏压下,探测器的光谱响应度、探测率和光谱响应速度分别达到4.27 m A/W、4.23×109Jones和4.6 ms/7.6 ms。证明了Pt纳米颗粒在提高β-Ga2O3基异质结探测器光电性能方面的重要应用。
李爱花[10]（2020）在《性别、科学与社会 ——以中国早期科学女博士为中心的考察》文中进行了进一步梳理女科学家稀缺的话题不仅是社会关注的焦点,也是学界研究的热点。女性作为未被社会充分挖掘和应用的重要科技人力资源,引起了越来越多国家的高度重视,欧美等很多国家已经将开发女性的科学潜能上升到国家科技政策和经济竞争政策的战略高度。在社会和科学发展需求的推动下,女性在科技人力资源中的数量越来越多,和男性所占比例相差越来越小。然而总体上看,女性主要集中于科学界的底层,大量女性的科学潜能还是未被充分激发出来。科学女博士作为科学领域的高端人才,研究其成长和成才的路径有助于进一步开发女性的科学潜能。本文以中国早期科学女博士为研究对象,用生命历程的视角考察影响女性成为女博士科学家的社会因素。科学职业信念的形成、科学学士学位的获得、科学博士学位的获得和科学博士学位获得后的工作与成就是影响科学女博士生命历程的关键节点。本文以这四个节点为基础从个人、家庭和社会三个层面探讨成为科学女博士及发挥科学女博士科学潜能的社会影响因素。科学职业信念影响选择和追求科学职业的态度和行为。女性科学职业信念的形成依赖于女性独立意识的觉醒、女性对科学能力的自我肯定和女性对科学职业的期待。从贤妻良母到职业女性的独立意识受到家庭、学校和社会的性别启蒙影响;女性对科学能力的自我肯定受到个人、家庭和学校对其科学天赋认可的影响;女性对科学职业的期待受到个人、家庭和学校对科学及女科学家认同的影响。科学学士学位是进入科学职业的基本前提,同时也是进入科学博士教育的基础。女性获得科学学士学位不仅需要进入高等科学教育的大门,而且需要完成高等科学教育训练。女性进入高等科学教育的大门受到个人对接受高等科学教育的期望、家庭对进入高等科学教育的支持和学校的高等科学教育向女性开放的影响;女性完成高等科学教育训练受到所学专业与个人期望一致和性别平等的高等科学教育环境的影响。科学博士学位是科学教育的最高层次,同时也是入职学术工作的普遍要求。女性获得科学博士学位不仅需要获得科学博士研究生教育深造机会,同样也需要完成科学博士研究生教育训练。女性获得科学博士研究生教育深造机会受到个人争取、学校推荐和资金支持的影响;女性完成科学博士研究生教育训练受到个人对自身科研能力的认可、家庭的理解和支持以及导师对科研能力的肯定与激励的影响。科学博士学位获得者入职科学界尤其是学术工作领域,是做出科学贡献成为科学家的关键。女性成为科学家不仅需要获得科学职业而且需要做出科研成果。科学女博士获得科学职业受到个人科学职业信念的坚持和科学职业岗位向女性开放的影响;科学女博士取得科研成就受到性别平等的科研机会及家庭的理解和支持的影响。纵观中国早期科学女博士的生命历程,发现女性在成为科学家的过程中始终面临着传统与现代、个人与社会、职业与家庭的选择,渴望成为经济独立的职业女性和对自己科学能力的自信是她们成功的关键,平等的性别社会环境和文化氛围是促其成功的重要因素。
二、通讯·半导体（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、通讯·半导体（论文提纲范文）
（1）“蛇吞象”式并购、产业整合与企业价值研究 ——以闻泰科技并购安世集团为例（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 第一节 研究背景及意义 |
| 一、研究背景 |
| 二、研究意义 |
| 第二节 研究内容及方法 |
| 一、研究内容 |
| 二、研究方法 |
| 第二章 理论基础及文献综述 |
| 第一节 核心概念界定 |
| 一、“蛇吞象”并购 |
| 二、产业整合 |
| 第二节 理论基础 |
| 一、交易成本理论 |
| 二、资源基础理论 |
| 三、竞争优势理论 |
| 四、协同效应理论 |
| 第三节 文献综述 |
| 一、并购的文献综述 |
| 二、企业并购与产业整合 |
| 三、企业并购与企业价值 |
| 四、文献评述 |
| 第三章 闻泰科技并购安世集团案例介绍 |
| 第一节 闻泰科技简介 |
| 一、闻泰科技基本情况 |
| 二、闻泰科技经营情况 |
| 第二节 安世集团简介 |
| 一、安世集团基本情况 |
| 二、安世集团经营情况 |
| 第三节 并购过程回顾 |
| 一、并购基础 |
| 二、并购过程 |
| 第四章 闻泰科技“蛇吞象”并购案例分析 |
| 第一节 并购动因分析 |
| 一、借力国家发展战略,踏足半导体黄金赛道 |
| 二、抓住市场机遇,公司产业升级 |
| 三、产业链纵向整合,创造多维度协同效应 |
| 第二节 并购价值分析 |
| 一、价值创造表现 |
| 二、价值创造机制 |
| 三、价值损毁的风险因素 |
| 第五章 结论及建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（2）基于人工微纳结构增强二维材料光吸收和红外探测的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 二维材料光电探测器的研究发展 |
| 1.2.1 功能结构复合单一二维材料光电探测器 |
| 1.2.2 二维材料异质结光电探测器 |
| 1.2.3 二维材料自驱动光电探测器 |
| 1.3 光学微纳结构增强石墨烯吸收的国内外进展 |
| 1.3.1 微光子学结构增强石墨烯吸收 |
| 1.3.2 金属纳米结构等离激元共振增强石墨烯吸收 |
| 1.4 石墨烯光电探测器的性能指标以及探测机制 |
| 1.4.1 石墨烯FET光电探测器性能指标 |
| 1.4.2 石墨烯光电探测器的探测机制 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第2章 理论仿真与实验研究方法 |
| 2.1 理论仿真方法 |
| 2.1.1 有限时域差分法(FDTD) |
| 2.1.2 有限元法(FEM) |
| 2.2 石墨烯理论与实验转移和表征方法 |
| 2.2.1 石墨烯理论模型 |
| 2.2.2 石墨烯实验转移 |
| 2.2.3 石墨烯表征方法 |
| 2.3 电子束曝光法制备器件 |
| 2.4 红外光电探测器件实验表征方法 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 等离激元微纳谐振腔非对称光耦合增强石墨烯自驱动红外探测性能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 材料转移与器件制备 |
| 3.2.1 石墨烯快速转移 |
| 3.2.2 复合器件与金属光栅集成MGM器件制备流程 |
| 3.3 器件结构以及器件稳定性表征分析 |
| 3.3.1 器件结构 |
| 3.3.2 器件基本物理特性和电学特性表征分析 |
| 3.4 非对称光电耦合增强器件性能的表征与分析 |
| 3.4.1 非对称光电耦合增强红外光响应对比度表征分析 |
| 3.4.2 石墨烯器件能带仿真理论分析 |
| 3.5 实验表征结合电磁仿真分析器件非对称光耦合 |
| 3.5.1 石墨烯的光学仿真 |
| 3.5.2 器件电磁耦合增强红外光响应的理论、实验分析 |
| 3.6 非对称光电耦合实现器件自驱动红外光响应 |
| 3.7 光谱可调谐性红外光响应 |
| 3.8 红外快速光探测以及偏振探测 |
| 3.9 理论结合实验分析复合结构器件红外探测机制 |
| 3.9.1 石墨烯费米能级和塞贝克系数的计算 |
| 3.9.2 石墨烯表面光激发热载流子温升的模拟 |
| 3.9.3 理论结合实验分析器件光探测机制 |
| 3.10 本章小结 |
| 第4章 基于超材料的偏振匹配和临界耦合联合作用增强的二维材料光吸收的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 两种MIM结构临界耦合状态下增强THz波段石墨烯光吸收的对比研究 |
| 4.3 两种结构共振吸收的局域光场偏振匹配定量分析 |
| 4.4 等效电路模型分析超表面索尔兹伯里屏形式的MIM-石墨烯复合结构 |
| 4.5 偏振匹配和临界耦合联合作用增强石墨烯红外范围光吸收 |
| 4.6 偏振匹配和临界耦合联合作用增强单层黑磷中红外范围光吸收 |
| 4.7 偏振匹配和临界耦合联合作用增强单层MoS_2可见-近红外范围光吸收 |
| 4.8 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）拓扑节线半金属ZrSiS的低能元激发研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 量子多体与元激发 |
| 1.2 声子 |
| 1.2.1 体相声子 |
| 1.2.2 表面声子 |
| 1.2.3 声子的可观测物理量 |
| 1.3 等离激元 |
| 1.3.1 体相等离激元 |
| 1.3.2 表面等离激元 |
| 1.4 电子-声子相互作用 |
| 1.4.1 理论框架 |
| 1.4.2 电声子相互作用对电子的影响 |
| 1.4.3 电声子相互作用对声子的影响 |
| 1.5 拓扑材料简介 |
| 1.5.1 拓扑分类概述 |
| 1.5.2 拓扑绝缘体 |
| 1.5.3 拓扑半金属 |
| 1.6 论文结构 |
| 第2章 实验技术与原理 |
| 2.1 超高真空技术与仪器 |
| 2.2 低能电子衍射 |
| 2.2.1 散射原理 |
| 2.2.2 仪器结构 |
| 2.2.3 用途 |
| 2.3 角分辨光电子能谱仪 |
| 2.4 反射式高分辨电子能量损失谱仪 |
| 2.4.1 散射原理 |
| 2.4.2 仪器结构 |
| 第3章 拓扑节线半金属ZrSiS的电声子相互作用 |
| 3.1 ZrSiS背景介绍 |
| 3.1.1 ZrSiS的晶体结构 |
| 3.1.2 ZrSiS的电子结构 |
| 3.1.3 ZrSiS的输运性质 |
| 3.1.4 ZrSiS的声子模式 |
| 3.2 ZrSiS表面晶格动力学研究 |
| 3.2.1 ZrSiS晶体的生长与表征 |
| 3.2.2 HREELS对表面声子谱的实验测量 |
| 3.2.3 晶格动力学计算 |
| 3.3 ZrSiS的电声子相互作用 |
| 3.3.1 电声子相互作用模型 |
| 3.3.2 声子散射约束条件 |
| 3.3.3 电声子相互作用参数拟合 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 拓扑节线半金属ZrSiS的等离激元 |
| 4.1 拓扑材料的等离激元概述 |
| 4.1.1 理论工作 |
| 4.1.2 实验进展 |
| 4.2 ZrSiS的等离激元 |
| 4.3 ZrSiS等离激元的来源 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 磁性氦原子散射谱仪设计与搭建 |
| 5.1 氦原子散射 |
| 5.1.1 历史简介 |
| 5.1.2 技术优势 |
| 5.1.3 散射原理 |
| 5.2 仪器-机械部分 |
| 5.2.1 氦原子束产生 |
| 5.2.2 常规氦原子的探测 |
| 5.2.3 磁性氦原子的激发和探测 |
| 5.3 仪器-电子学控制系统 |
| 5.3.1 电子学硬件 |
| 5.3.2 数据采集软件 |
| 5.4 总结 |
| 第6章 论文总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 论文展望 |
| 6.2.1 ZrSiS家族材料的探索 |
| 6.2.2 氦原子散射谱在二维材料中的应用 |
| 参考文献 |
| 附录 中英文缩略词对照表 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（4）基于半导体制冷技术的冷凝增热谷物干燥试验装置（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景、意义及目的 |
| 1.2 国内外谷物干燥技术现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 国内外半导体制冷技术研究现状 |
| 1.3.1 国外研究现状 |
| 1.3.2 国内研究现状 |
| 1.4 研究内容 |
| 1.5 研究技术路线 |
| 1.6 本章小结 |
| 第2章 半导体制冷原理 |
| 2.1 热电制冷技术 |
| 2.1.1 塞贝克效应 |
| 2.1.2 帕尔贴效应 |
| 2.1.3 汤姆逊效应 |
| 2.1.4 焦耳热效应 |
| 2.1.5 傅里叶效应 |
| 2.2 半导体制冷效率分析 |
| 2.2.1 制冷特性分析 |
| 2.2.2 热交换分析 |
| 2.3 散热方式 |
| 2.3.1 自然对流风冷散热 |
| 2.3.2 强迫对流散热 |
| 2.3.3 水冷散热 |
| 2.3.4 热管散热 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 基于半导体制冷技术的冷凝增热干燥试验系统的设计 |
| 3.1 冷凝增热系统组成及设计方案 |
| 3.2 系统控制策略与方法 |
| 3.3 机械结构设计 |
| 3.3.1 整机外箱体结构 |
| 3.3.2 整机内箱体结构 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 冷凝增热干燥测控系统的研究 |
| 4.1 PLC简介及工作原理 |
| 4.2 冷凝增热装置PLC控制系统设计 |
| 4.2.1 系统I/O口地址分配 |
| 4.2.2 PLC 控制系统硬件基础搭建 |
| 4.2.3 电气控制系统原理图 |
| 4.2.4 系统程序设计 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 软件系统的设计 |
| 5.1 LabVIEW虚拟仪器开发环境 |
| 5.1.1 LabVIEW虚拟仪器简介 |
| 5.1.2 LabVIEW附加模块简介 |
| 5.2 冷凝增热控制系统软件设计 |
| 5.2.1 系统工作界面 |
| 5.2.2 后面板基本程序界面 |
| 5.2.3 谷物与空气的绝对水势模型程序设计 |
| 5.2.4 数据输出与文件保存 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 冷凝增热干燥节能工艺的试验研究 |
| 6.1 试验目的与要求 |
| 6.2 试验材料与方法 |
| 6.2.1 试验设备 |
| 6.2.2 试验方法步骤 |
| 6.3 试验条件及数据分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 工作总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（5）范德瓦尔斯二维材料的太赫兹光谱研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太赫兹技术及其研究的应用 |
| 1.2.1 太赫兹技术介绍 |
| 1.2.2 太赫兹研究的应用现状 |
| 1.3 范德瓦尔斯二维材料及其光谱研究 |
| 1.3.1 范德瓦尔斯二维材料的研究现状 |
| 1.3.2 范德瓦尔斯二维材料太赫兹光谱研究现状 |
| 1.4 研究动机与研究内容 |
| 第二章 太赫兹测试系统的搭建 |
| 2.1 太赫兹的产生及探测方法 |
| 2.1.1 太赫兹的产生方法 |
| 2.1.2 太赫兹波的探测方法 |
| 2.2 测量系统及实验装置 |
| 2.2.1 测量系统 |
| 2.2.2 实验装置 |
| 2.3 数据采集及处理系统 |
| 2.3.1 数据采集系统 |
| 2.3.2 数据处理系统 |
| 2.4 太赫兹时域谱数据处理方法 |
| 2.4.1 物理参数提取 |
| 2.4.2 几种经典的理论模型 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 单层石墨烯的太赫兹波应力调控研究 |
| 3.1 二维太赫兹调制器件 |
| 3.2 应力对太赫兹波的调控 |
| 3.2.1 太赫兹应力调制器件原型 |
| 3.2.2 太赫兹应力调制效应的表征 |
| 3.2.3 太赫兹应力调制效应的来源 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 二维铁磁材料的太赫兹受激发射研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 单色光受激发射机制的研究现状 |
| 4.2.1 传统单色光受激发射机制的研究现状 |
| 4.2.2 单色太赫兹波受激发射的研究现状 |
| 4.3 二维磁性半导体太赫兹受激发射研究 |
| 4.3.1 Cr_2Ge_2Te_6的制备与表征方法 |
| 4.3.2 太赫兹发射效应的表征与验证 |
| 4.3.3 太赫兹发射效应的温度依赖特征 |
| 4.3.4 太赫兹发射效应的磁控特征 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 二维反铁磁半导体的太赫兹非线性电光效应研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 MnPS_3的基本性质 |
| 5.3 样品制备及光学表征技术介绍 |
| 5.4 MnPS_3的电光效应 |
| 5.4.1 MnPS_3电光效应实验结果 |
| 5.4.2 MnPS_3电光效应讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（6）战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角（论文提纲范文）
| 答辩决议书 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 国内研究现状 |
| 1.2.2 国外研究现状 |
| 1.2.3 国内外研究述评 |
| 1.3 研究框架与研究方法 |
| 1.3.1 研究框架 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.4 研究中的创新与不足 |
| 第2章 科技革命推动产业升级的一般分析 |
| 2.1 科技革命的概念与研究范围界定 |
| 2.1.1 科技革命的概念 |
| 2.1.2 战后科技革命研究范围的界定 |
| 2.2 科技革命推动下产业升级的内涵及研究范围界定 |
| 2.2.1 科技革命推动下产业升级的内涵 |
| 2.2.2 科技革命推动产业升级的研究范围界定 |
| 2.3 科技革命推动产业升级的理论基础 |
| 2.3.1 熊彼特创新理论 |
| 2.3.2 技术经济范式理论 |
| 2.3.3 产业技术范式理论 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 科技革命推动产业升级:基于创新体系视角的分析框架 |
| 3.1 科技革命推动产业升级的机理 |
| 3.1.1 科技革命推动产业升级的经济本质:技术经济范式转换 |
| 3.1.2 科技革命推动产业升级的传导机制:“催新”与“改旧” |
| 3.2 创新体系相关理论 |
| 3.2.1 国家创新体系理论 |
| 3.2.2 部门创新体系理论 |
| 3.3 以创新体系为切入点的分析视角 |
| 3.3.1 国家创新体系与技术经济范式匹配性分析视角 |
| 3.3.2 部门创新体系与产业技术范式匹配性分析视角 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 战后科技革命推动日本产业升级的历程与背景 |
| 4.1 科技革命推动日本产业升级的历程 |
| 4.1.1 战前科技革命成果推动下日本产业的“重化型”化(20世纪50-60年代) |
| 4.1.2 战后科技革命推动下日本产业的“轻薄短小”化(20世纪70-80年代) |
| 4.1.3 战后科技革命推动下日本产业的“信息”化(20世纪90年代后) |
| 4.2 战后科技革命推动日本产业升级的背景 |
| 4.2.1 重化型产业结构的局限性日渐凸显 |
| 4.2.2 世界性科技革命的爆发为日本提供了机遇 |
| 4.2.3 日本经济的高速增长奠定了经济基础 |
| 4.2.4 日本的“引进消化吸收再创新”战略奠定了技术基础 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 战后科技革命推动日本产业升级:基于国家创新体系的分析 |
| 5.1 技术经济范式转换的载体:日本国家创新体系 |
| 5.2 科技革命推动日本产业升级中政府支持创新的行为 |
| 5.2.1 传递最新科技情报并辅助企业引进技术 |
| 5.2.2 适时调整科技发展战略和产业结构发展方向 |
| 5.2.3 制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度 |
| 5.2.4 采取措施加速新技术产业化的进程 |
| 5.2.5 改革教育体制并强化人才引进制度 |
| 5.3 科技革命推动日本产业升级中企业的创新行为 |
| 5.3.1 注重提升自主创新能力 |
| 5.3.2 遵循技术创新的“现场优先主义”原则 |
| 5.3.3 实行考虑市场因素的“商品研制、推销一贯制” |
| 5.3.4 将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节 |
| 5.3.5 重视对在职人员的科技教育和技术培训 |
| 5.4 科技革命推动日本产业升级中大学和科研机构的创新行为 |
| 5.4.1 从事与产业技术密切相关的基础和应用研究 |
| 5.4.2 重视通识教育和“强固山脚”教育 |
| 5.4.3 培养了大量的理工类高科技人才 |
| 5.5 科技革命推动日本产业升级中的创新主体联盟 |
| 5.5.1 产学官联合攻关尖端技术 |
| 5.5.2 建立能够促进科技成果转化的中介机构 |
| 5.5.3 联合培养和引进优秀人才 |
| 5.6 日本国家创新体系与技术经济范式的匹配性评析 |
| 5.6.1 日本国家创新体系与微电子技术经济范式相匹配 |
| 5.6.2 “追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式相匹配 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 战后科技革命催生日本主要新兴产业:基于部门创新体系的分析 |
| 6.1 新兴产业技术范式的形成与日本部门创新体系 |
| 6.2 微电子技术催生下日本半导体产业的兴起和发展 |
| 6.2.1 微电子技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.2.2 微电子技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.2.3 微电子技术产业化中科研机构的创新行为 |
| 6.2.4 微电子技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.2.5 微电子技术产业化中的需求因素 |
| 6.3 计算机技术催生下日本计算机产业的兴起与发展 |
| 6.3.1 计算机技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.3.2 计算机技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.3.3 计算机技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.3.4 计算机技术产业化中的需求因素 |
| 6.4 日本部门创新体系与新兴产业技术范式形成的匹配性评析 |
| 6.4.1 部门创新体系与半导体产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.2 部门创新体系与计算机产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.3 部门创新体系与新兴产业技术范式形成相匹配 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 战后科技革命改造日本主要传统产业:基于部门创新体系的分析 |
| 7.1 科技革命改造传统产业的本质:传统产业技术范式变革 |
| 7.2 微电子技术改造下日本工业机器自动化的发展 |
| 7.2.1 工业机器自动化中政府支持创新的行为 |
| 7.2.2 工业机器自动化中企业的创新行为 |
| 7.2.3 工业机器自动化中的创新主体联盟 |
| 7.2.4 工业机器自动化中的需求因素 |
| 7.3 微电子技术改造下日本汽车电子化的发展 |
| 7.3.1 汽车电子化中政府支持创新的行为 |
| 7.3.2 汽车电子化中企业的创新行为 |
| 7.3.3 汽车电子化中的创新主体联盟 |
| 7.3.4 汽车电子化中的需求因素 |
| 7.4 日本部门创新体系与传统产业技术范式变革的匹配性评析 |
| 7.4.1 部门创新体系与工业机器产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.2 部门创新体系与汽车产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.3 部门创新体系与传统产业技术范式变革相匹配 |
| 7.5 本章小结 |
| 第8章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级的经验与教训 |
| 8.1 战后科技革命推动日本产业升级的经验 |
| 8.1.1 构建了与微电子技术经济范式相匹配的国家创新体系 |
| 8.1.2 重视创新体系的层级性和差异性建设 |
| 8.1.3 加速推进新兴产业技术范式的形成 |
| 8.1.4 借力科技革命的“双重性质”推动新旧产业协调发展 |
| 8.2 战后科技革命推动日本产业升级的教训 |
| 8.2.1 创新体系的基础研究能力不足 |
| 8.2.2 创新体系不利于颠覆性技术创新的产生 |
| 8.2.3 政府主导下的大型研发项目模式存在定向失误的弊端 |
| 8.3 本章小结 |
| 第9章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级对我国的启示 |
| 9.1 新一轮科技革命给我国产业升级带来的机遇 |
| 9.1.1 为我国产业升级提供“机会窗口” |
| 9.1.2 为我国新兴产业“追跑”“齐跑”与“领跑”的并行发展提供机遇 |
| 9.1.3 为我国传统制造业的高质量发展创造了机会 |
| 9.2 构建与新一轮科技革命推动产业升级相匹配的创新体系 |
| 9.2.1 构建国家创新生态体系 |
| 9.2.2 重视部门创新体系的“产业间差异性” |
| 9.2.3 形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系 |
| 9.2.4 建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系 |
| 9.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（7）基于自组装半导体量子点的量子光源及多光子干涉实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 简介:从量子力学到量子信息技术 |
| 1.2 本文结构 |
| 第2章 用自主装半导体量子点做量子光源的物理基础及实验技术 |
| 2.1 自组装半导体量子点结构及内态 |
| 2.2 实验中用到的实验技术和仪器 |
| 2.3 本章总结 |
| 第3章 基于自主装半导体量子点与微腔耦合的近完美单光子源的实现 |
| 3.1 单光子源概念及发展简介 |
| 3.2 基于随机微柱腔的高品质单光子源的实现 |
| 3.3 总结和展望 |
| 第4章 基于自主装半导体量子点与腔耦合的近完美纠缠光子对源的实现 |
| 4.1 基于量子点与CBG腔耦合的高品质纠缠光子对源的实现 |
| 4.2 优质EPR的实验实现 |
| 4.3 分析总结和展望 |
| 第5章 基于量子点单光子源的多光子图态的制备 |
| 5.1 基于半导体量子点单光子源的四光子GHZ态和线性簇态的制备和表征 |
| 5.2 用半导体量子点单光子源做多光子干涉实验的潜力分析 |
| 5.3 本章总结和展望 |
| 第6章 基于自组装半导体量子点的预报型量子纠缠门的实验实现 |
| 6.1 预报型的两光子极化纠缠门的实现 |
| 6.2 总结和展望 |
| 第7章 总结和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（8）铁钒氧化物相结构、相平衡及热力学性质（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 转炉提钒理论基础 |
| 2.1.1 提钒工艺及原理 |
| 2.1.2 钒渣物相组成 |
| 2.2 Fe-V-O体系相图与热力学性质 |
| 2.2.1 相图 |
| 2.2.2 热力学性质 |
| 2.3 铁钒氧化物结构与性能 |
| 2.3.1 FeV_2O_4尖晶石轨道有序 |
| 2.3.2 FeVO_4和Fe_2V_4O_(13)半导体光催化 |
| 2.4 研究方法 |
| 2.4.1 相图测定 |
| 2.4.2 相图计算 |
| 2.4.3 第一性原理计算 |
| 2.5 研究目的与研究内容 |
| 3 不同温度及氧分压下Fe_xO-V_2O_3体系相平衡 |
| 3.1 实验过程 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 P_(CO)/P_(CO2)=1:4时不同温度相平衡 |
| 3.2.2 P_(CO)/P_(CO2)=2:1时不同温度相平衡 |
| 3.2.3 1623 K时不同氧分压相平衡 |
| 3.2.4 1773 K时不同氧分压相平衡 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 铁钒氧化物热力学性质 |
| 4.1 热容 |
| 4.1.1 样品制备及表征 |
| 4.1.2 实验原理及过程 |
| 4.1.3 结果与讨论 |
| 4.2 标准生成焓和熵 |
| 4.3 标准反应吉布斯自由能和活度 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 Fe-V-O体系热力学优化 |
| 5.1 热力学模型 |
| 5.2 铁钒尖晶石固溶体 |
| 5.2.1 阳离子分布 |
| 5.2.2 热力学性质 |
| 5.3 Fe-V-O体系相图 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 FeV_2O_4尖晶石结构及轨道有序 |
| 6.1 计算方法 |
| 6.2 晶体结构和电子结构 |
| 6.3 轨道有序演变过程 |
| 6.4 自旋轨道耦合效应 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 FeVO_4和Fe_2V_4O_(13)半导体结构及晶格动力学 |
| 7.1 计算方法 |
| 7.2 晶体结构和能带结构 |
| 7.3 声子谱和振动模式 |
| 7.4 本章小结 |
| 8 结论与展望 |
| 9 主要创新点 |
| 参考文献 |
| 附录A 铁钒氧化物热容实验数据 |
| 附录B 计算的FeVO_4和Fe_2V_4O_(13)标准熵 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（9）氧化镓基光电探测器的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化镓材料的基本物理特性和制备方法 |
| 1.2.1 氧化镓材料的基本物理特性 |
| 1.2.2 β-Ga_2O_3 单晶材料的制备 |
| 1.2.3 β-Ga_2O_3 薄膜材料的制备 |
| 1.3 氧化镓材料的应用以及研究进展 |
| 1.3.1 紫外光电探测器 |
| 1.3.2 其他用途 |
| 1.4 目前存在问题与本文主要研究内容 |
| 第二章 氧化镓薄膜制备表征及探测器测试方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 氧化镓薄膜材料的制备方法 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积(PLD) |
| 2.2.2 磁控溅射 |
| 2.2.3 后退火处理 |
| 2.3 氧化镓薄膜材料表征技术 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.3.2 X射线光电子能谱仪(XPS) |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) |
| 2.3.5 紫外-可见分光光度计(UV-VIS Spectrophotometer) |
| 2.4 光电探测器 |
| 2.4.1 光电探测器工作原理 |
| 2.4.2 光电探测器性能参数 |
| 2.4.3 光电探测器的分类 |
| 2.4.4 光电探测器光电特性测试方法 |
| 2.5 本章总结 |
| 第三章 基于PLD技术的β-Ga_2O_3薄膜外延工艺与薄膜特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 衬底温度对β-Ga_2O_3薄膜结构和光学特性的影响 |
| 3.3 退火温度对β-Ga_2O_3薄膜结构和光学特性的影响 |
| 3.4 退火环境对β-Ga_2O_3薄膜结构和光学特性影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 β-Ga_2O_3MSM型光电探测器的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 优化薄膜质量对β-Ga_2O_3 MSM型光电探测器性能的影响 |
| 4.2.1 探测器结构设计与制备 |
| 4.2.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 4.2.3 探测器的光电机理分析 |
| 4.3 优化电极结构对β-Ga_2O_3 MSM型光电探测性能的影响 |
| 4.3.1 探测器结构设计与制备 |
| 4.3.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 4.3.3 探测器的光电机理分析 |
| 4.4 Pt纳米颗粒增强β-Ga_2O_3 MSM型光电探测的性能研究 |
| 4.4.1 探测器结构设计与制备 |
| 4.4.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 4.4.3 探测器光电机理分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 β-Ga_2O_3异质结自驱动紫外光电探测器研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 β-Ga_2O_3/SiC异质结自驱动紫外光电探测器性能研究 |
| 5.2.1 4H-SiC衬底外延β-Ga_2O_3薄膜材料表征 |
| 5.2.2 探测器结构设计与制备 |
| 5.2.3 探测器光电性能测试与分析 |
| 5.2.4 探测器光电机理分析 |
| 5.3 β-Ga_2O_3/NiO异质结自驱动紫外光电探测器性能研究 |
| 5.3.1 NiO薄膜及器件结构制备 |
| 5.3.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 5.3.3 探测器光电机理分析 |
| 5.4 Pt纳米颗粒增强β-Ga_2O_3/NiO异质结紫外光电探测器性能研究 |
| 5.4.1 探测器结构设计与制备 |
| 5.4.2 探测器光电性能测试与分析 |
| 5.4.3 探测器光电机理分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）性别、科学与社会 ——以中国早期科学女博士为中心的考察（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 引言 |
| 一、选题目的与意义 |
| 二、国内外研究动态 |
| (一)国外研究动态 |
| (二)国内研究动态 |
| 三、研究方法 |
| 四、研究对象 |
| 五、概念界定 |
| 六、研究思路与内容 |
| 七、创新之处 |
| 第一章 科学职业信念的形成 |
| 1.1 女性独立意识的觉醒 |
| 1.1.1 家庭的性别启蒙 |
| 1.1.2 学校的性别启蒙 |
| 1.1.3 社会的性别启蒙 |
| 1.2 对科学能力的自我肯定 |
| 1.2.1 个人对科学天赋的认可 |
| 1.2.2 家庭对科学天赋的重视 |
| 1.2.3 学校对科学天赋的肯定 |
| 1.3 对科学职业的期望 |
| 1.3.1 个人对科学和女科学家的认同 |
| 1.3.2 家庭对科学和女科学家的认同 |
| 1.3.3 学校对科学和女科学家的认同 |
| 第二章 科学学士学位的获得 |
| 2.1 进入高等科学教育大门 |
| 2.1.1 个人对接受高等科学教育的期望 |
| 2.1.2 家庭对进入高等科学教育的支持 |
| 2.1.3 学校的高等科学教育向女性开放 |
| 2.2 完成高等科学教育训练 |
| 2.2.1 所学专业与个人期望一致 |
| 2.2.2 性别平等的高等科学教育环境 |
| 第三章 科学博士学位的获得 |
| 3.1 获得科学博士研究生教育深造机会 |
| 3.1.1 个人争取 |
| 3.1.2 学校推荐 |
| 3.1.3 资金支持 |
| 3.2 完成科学博士研究生教育训练 |
| 3.2.1 个人对自身科研能力的认可 |
| 3.2.2 家庭的理解和支持 |
| 3.2.3 导师对科研能力的肯定与激励 |
| 第四章 获得科学博士学位后的工作与成就 |
| 4.1 科学职业的获得 |
| 4.1.1 个人科学职业信念的坚持 |
| 4.1.2 科学职业岗位向女性开放 |
| 4.2 科研成就的取得 |
| 4.2.1 性别平等的科研机会 |
| 4.2.2 家庭的理解和支持 |
| 结语 |
| 附录 中国早期女博士名录(1918-1955) |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
四、通讯·半导体（论文参考文献）
- [1]“蛇吞象”式并购、产业整合与企业价值研究 ——以闻泰科技并购安世集团为例[D]. 樊骁. 云南财经大学, 2021(09)
- [2]基于人工微纳结构增强二维材料光吸收和红外探测的研究[D]. 郭尚坤. 中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所), 2021(01)
- [3]拓扑节线半金属ZrSiS的低能元激发研究[D]. 薛思玮. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所), 2021(01)
- [4]基于半导体制冷技术的冷凝增热谷物干燥试验装置[D]. 郝欢. 吉林大学, 2021(01)
- [5]范德瓦尔斯二维材料的太赫兹光谱研究[D]. 成龙. 中国科学技术大学, 2021
- [6]战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角[D]. 刘伟岩. 吉林大学, 2020(03)
- [7]基于自组装半导体量子点的量子光源及多光子干涉实验研究[D]. 李金朋. 中国科学技术大学, 2021(06)
- [8]铁钒氧化物相结构、相平衡及热力学性质[D]. 谢伟. 北京科技大学, 2020(12)
- [9]氧化镓基光电探测器的制备及其性能研究[D]. 余建刚. 西安电子科技大学, 2020(02)
- [10]性别、科学与社会 ——以中国早期科学女博士为中心的考察[D]. 李爱花. 山西大学, 2020(12)