一、一种新型的光控光导半导体开关解析模型（论文文献综述）
鲁霄月[1]（2020）在《基于半绝缘GaAs电触发非线性模式新型脉冲压缩二极管特性研究》文中研究指明半绝缘GaAs非线性模式（Lock-on模式）可以由激光触发,也可以通过电子束注入触发。在GaAs光电导开关中,非线性模式能够带来极大的电流增益,大幅降低对触发激光单脉冲能量的需求,从而减小系统体积和成本,以适应应用需求。利用MIM结构样品局部雪崩载流子触发GaAs非线性导通,已经获得实验证实。电触发非线性模式触发后能输出纳秒级高压脉冲,在脉冲功率技术领域具有重要的研究价值和应用潜力。本文在研究电触发半绝缘GaAs非线性模式脉冲产生机理的基础上,在工艺结构的改进和同步触发方面做了以下工作:1.基于样品寿命测试,首先分析了 MIM（Metal-Semiconductor-Metal）结构样品失效原因,在此基础上,设计利用反偏pn结替代肖特基结,设计并制备了新结构的MIP（Metal-Semiconductor-P-GaAs）结构二极管,并对其输出特性进行研究。对MIP结构样品实验测试结果表明MIP结构结果不仅能够大幅提升输出电压幅值,同时提升了样品寿命。2.基于电触发非线性模式+du/dt延迟击穿特性和—du/dt触发特性,实现了 MIP结构二极管的并联同步触发和串联同步触发。实验结果表明,两器件并联触发同步性误差小于1ns,但并联未能增大输出电流。两器件串联同步触发获得了良好的效果,串联输出电脉冲幅值接近单个器件输出电脉冲幅值之和的89%。3.研究了 MIP结构二极管在不同条件下的通态电阻。实验结果表明:样品通态电阻与输出电流相关。理论分析了通态电阻导通特性机理。电触发非线性模式的+du/dt延迟击穿特性和-du/dt触发特性使其在脉冲压缩领域具有独特的优势和发展潜力。本文在多器件同步触发、改进工艺降低通态电阻方面的工作能够促进新型脉冲压缩器件的研发进程。
霍晨龙[2]（2019）在《半导体光导开关测试系统开发及其电学性质的研究》文中研究表明光导开关是一种利用半导体材料受到激光照射,产生光生载流子实现阻抗的急剧变换,从而使电路关断或导通的半导体开关。它具有光电分离、响应快速、高重频、高耐压、皮秒时间精度、寄生参数小以及结构紧凑等优点。为了研究测试光导开关样品的实际工作性能,本文从光导开关的电学性质入手,分析半导体光导开关工作环境的需求,搭建了一套光导开关测试平台,并对光导开关工作状态进行仿真模拟,研究测试光导开关的各项工作参数。另一方面通过解决实验平台搭建遇到的技术问题,对光导开关测试系统的性能做进一步优化。通过研究碳化硅和砷化镓两种光导开关材料的工作特性和工艺技术,学习了解主流光导开关设计方案,分析光导开关测试平台的功能需求和结构设计。选用了以半导体激光二极管作为触发器件,Blumlein传输线作为系统输出和光导开关的承载结构,详细论述实验平台电路组件的设计和解决问题的过程。半导体激光二极管替代传统YAG激光器作为触发器件,有着成本低、体积小的优势,其产生的激光脉冲足够使光导开关导通。它的驱动电路包含储能和控制两个部分,驱动控制功能采用金属氧化物半导体开关（MOSFET）实现。为了实现快速导通MOSFET来控制电容放电以及电路保护等功能,选取并分析了多种方案和元件,并通过仿真和实验对比做出了一定优化。分析研究Blumlein传输线实现倍压的工作原理,对光导开关的输出结构的寄生参数进行了模拟仿真,使用CST软件分析了不同材料衬底和不同尺寸对实验结果和输出效率的影响。综合寄生参数、衬底材料和结构尺寸对输出的影响,设计出了单层二倍压的微带Blumlein线,使用Altium Designer完成了传输线的实际制作。本文在完成电路系统和传输线结构的加工和装配工作后,对多个光导开关样品进行了触发实验,测试了平台实际工作性能,包括稳定性和可操作性等。根据实验过程中遇到的问题对平台结构进行进一步的优化。实验得到了光导开关样品在线性与非线性工作状态下较为稳定的输出波形,并在重频状态下记录了光导开关的工作性能和样品的外观。完成了光导开关测试平台的基本功能,并得到了较为可信的实验数据。
王凌云[3]（2018）在《高压光控脉冲晶闸管设计与实现》文中认为高功率微波、加速器、生物医学等应用对脉冲功率系统提出了高重复频率、长寿命、高可靠性、紧凑等方面的要求,由于固态器件（开关、储能等）在重复频率、寿命、可靠性等方面的优势,并且功率容量也越来越高,所以基于大功率固态电子器件的固态脉冲功率技术已成为脉冲功率技术发展的重要方向。在脉冲功率系统中,开关是其中最为关键的器件,其性能直接决定了系统的输出性能,因此具有高功率容量、高重复频率、长寿命,且稳定可靠的固态开关成为固态脉冲功率技术研究的重点和难点。本论文正是针对上述需求,结合晶闸管电压等级高、通流能力大、可靠性高的优点,以及光导开关体积小、重复频率性能好、响应速度快、触发抖动小、光电隔离的优点,运用多个跨专业软件平台进行协同,设计并实现了一种新型的高压光控脉冲晶闸管。本论文在半导体器件仿真的基础上,结合光学、电磁、电路等仿真计算,采用不同领域的多个软件工具进行协同设计,研究了多个物理参数之间的关系,得到了新器件的优化设计参数,实现了一种基于激光二极管驱动、光纤柔性耦合的高压光控脉冲晶闸管。论文的主要内容为:1.结合晶闸管和光导半导体开关的优点,在软件仿真计算结果的基础上,提出了一种新的多门极、多元胞的高压光控脉冲晶闸管结构,该结构通过多个门极和多个元胞,减小电流的集中效应,提高器件开通速度,从而使器件具备高功率、高di/dt的工作条件。2.采用了多软件协同设计,应用半导体仿真软件、电磁场分析计算软件、电路设计仿真软件、光学设计软件、虚拟仪器等进行与结构计算、参数仿真、工艺设计等,并编写数据处理程序,将高压光控脉冲晶闸管的测试实验数据与仿真数据进行分析对比,最终完成高压光控脉冲晶闸管的设计及结构优化,并实现高压光控脉冲晶闸管器件。3.基于软件平台的光路与电路设计,采用激光二极管堆叠、射频大电流驱动、激光能量柔性传输、微纳光纤分光均布方案,设计并实现了一种小体积、经济、灵活的高压光控脉冲晶闸管触发控制系统。
余定旺[4]（2017）在《超材料周期结构的吸波应用研究》文中提出超材料（Metamaterial,MTM）的奇异电磁特性,使其被广泛应用于设计研究各类高性能微波功能器件,如滤波器、天线及吸波器等。超材料吸波器（Metamaterial Absorber,MMA）作为超材料研究的一个重要内容,由于其具有结构紧凑、重量轻、超薄及易于与电子设备集成等优势,已成为雷达射频隐身和电子信息系统电磁兼容/屏蔽领域的研究热点,具有较高的应用价值。本文深入分析了新型超材料吸波结构的吸波机理及其结构参数影响,讨论了超材料吸波结构的电磁特性、数值仿真优化及其实验测试方法。针对超材料吸波结构的不同物理性能,系统地研究了其等效电路模型及表面电流分布,并以此基础,优化设计了多种不同性能的超材料吸波结构。本文主要研究内容如下:1.对小型化多频超材料吸波结构进行了研究。设计了三种新型超材料吸波结构,并利用表面电流分布对其吸波机理进行了分析,研究了不同结构参数下的吸收性能。通过蜿蜒线、交指线与分形结构的加载集成,使得复合结构获得了较好的小型化特征;同时,以三角螺旋可逆形状为基础,设计了具有超薄、小型化特性的六频吸波结构。2.提出了有源吸收频率选择表面（Absorptive Frequency Selective Surface,AFSS）概念,详尽地分析了其传输/吸波的工作机理,并推导了其传输与反射特性方程。利用PIN二极管不同偏置电压下的工作状态,设计了一种新型的开关可调AFSS结构,实现了AFSS传输通带的开/关切换和吸波带宽的宽带可调特性。3.研究设计了一种具有可调传输/吸波性能的AFSS结构。基于传输线等效电路模型,从阻抗匹配角度深入分析了可调AFSS传输/吸波的物理机理。利用PIN二极管和varactor的不同工作状态,实现了传输通带与吸波带宽的动态调制效应。相较于无源AFSS的结构设计,所设计结构具有电控可调特性,极大地拓展了AFSS的应用研究范畴。4.对THz频域的有源吸波器件进行了设计。首先,研究了泵浦激光光照对光导硅基半导体材料电导率的影响,利用光导硅基材料电导率在光激励下的可变特性,设计了一种基于正交开口双谐振环结构的THz开关器件。利用外界入射泵浦激光光照强度,对THz反射波的极化状态进行调制,实现极化旋转器与吸波器之间的状态切换。其次,利用二氧化钒（VO2）薄膜的相变特性,设计了温控超材料宽带极化调制器。分析了不同温度下VO2薄膜的相变特性对THz反射波极化状态的影响。通过温度调控方式,实现对THz反射波交叉极化旋转带宽的动态调制。最后,提出了基于VO2薄膜的温控THz调制器结构,实现了THz透射波峰值幅度与频率的双重调控。相较于目前的光、电、磁等调制方式,温控形式则显得更为简便,且可操作性强。本文的研究表明,设计的超材料吸波结构具有良好的吸波特性,不仅克服了目前电磁吸波材料存在的不足与缺陷,而且进一步完善了超材料吸波结构的研究设计理论,为后续在隐身技术和电磁防护领域的应用研究提供了技术支撑。
廖厚碧[5]（2017）在《认知无线电系统中光控频率可重构天线的研究》文中提出无线通信技术的飞速发展,给人们的生活带来方便的同时也会带来了一个棘手的问题:无线电频谱可分配的资源将越来越匮乏。认知无线电技术被认为是提高频谱利用效率的一种方法,它的天线由两部分构成,分别是超宽带感知天线和窄带的重构天线,通过超宽带天线来感知周围的空闲频谱,当感知到合适的频谱时,具有重构功能的天线就会切换到该频段进行工作。本论文主要研究能应用于认知无线电系统的频率可重构天线,提出的两款具有高隔离度的光控频率可重构天线,能够应用于认知无线电系统。本论文的主要研究内容:（1）介绍了当前光控频率可重构认知无线电天线研究的现状、研究意义,以及对天线设计所需要的相关理论,包括天线的辐射基本原理、天线的基本参数、半导体的基本原理、光对硅片的导电特性的影响等等,为下一步天线设计打下理论基础。（2）设计了一种通过光控开关改变辐射贴片的状态来实现频率可重构天线,可应用于认知无线电系统前端,该天线采用双端口微带线馈电结构,由两部分组成,其中超宽带感知部分由正十二边形中间开缝与微带馈线和地一起构成,能覆盖3.1-10.6GHz;窄带部分由一个T字型结构实现,利用合适波长的激光实现两个硅光导开关的导通与断开,从而实现频率在7.0-8.6GHz、4.7-5.4GHz和3.4-3.7GHz的三个窄带可重构。（3）设计了另一种通过光控开关来改变地板的状态来实现频率可重构认知无线电天线,该天线采用双端口微带线馈电,通过改变窄带地的结构实现窄带的频率可重构,超宽带感知部分能覆盖2.7-12GHz,窄带重构频段为3.3-3.8GHz,4.9-5.5GHz和7.4-8.8GHz。该天线通过改变与地板的匹配来实现重构,尽可能地减小开关对天线辐射的影响。本论文选用的是光控硅光导开关,易于与天线集成,对天线辐射的影响小。
纪卫莉[6]（2014）在《半绝缘GaAs光电导开关的强场输运规律及闪络机制的研究》文中研究说明脉冲功率装置中,开关技术具有十分重要的地位。随着脉冲功率技术的迅速发展,半导体光电导开关以其优良的特性受到了关注。光电导开关是一种超快激光脉冲与半导体相结合形成的新型开关,除具有固体开关结构紧凑的优点外,还具有传统开关所不具有的独特优点,如亚纳秒量级的闭合时间、皮秒量级的时间抖动、极好的同步精度、亚纳亨电感以及光电隔离等,尤其是GaAs、In P等Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物制备的光电导开关可工作在高倍增模式（或称非线性模式,或Lock-on效应）,可实现弱光触发,使开关系统可以小型化和集成化。本文针对GaAs光电导开关理论和技术研究中存在的问题,采用实验研究和理论分析相结合的方法,对强电场下半绝缘GaAs光电导开关的非线性模式的物理机制、造成开关损伤的沿面闪络机制、强电场下弱光触发GaAs光电导开关的输出特性、以及用GaAs光电导开关产生超宽带辐射等进行了较为系统、深入的研究。本论文主要完成了以下三方面的研究工作:（1）非线性模式的机理研究光激发电荷畴理论模型可以很好的解释高倍增模式下的实验现象,但该模型并没有考虑液封直拉（LEC）法生长的半绝缘GaAs的材料特性,即高密度原生缺陷EL2能级的存在会影响载流子的输运和开关的输出特性。对半绝缘GaAs光电导开关在强电场下进行了实验测试,得到光电阈值附近触发时,开关存在Lock-on延迟现象和电流过冲现象,迄今为止,还没有研究者对此做出较为合理的解释,本文基于EL2能级的电场依赖特性对两种现象做了深入的理论分析,指出由于EL2能级的俘获造成电子载流子密度的衰减和空穴载流子寿命的延长,而后由于强电场下中性EL2能级的声子辅助隧道效应,使载流子热释放形成了光激发电荷畴所需的高的载流子浓度,之后又形成雪崩畴,导致Lock-on效应。Lock-on效应的延迟的时间取决于空穴漂移到阴极的时间和电场强度上升到雪崩碰撞阈值所需时间。所以偏置电场越大,延迟时间越小。对Lock-on效应中存在的过冲现象,依据EL2能级的强电场特性做了理论解释,强电场下EL2能级的声子辅助隧道效应导致俘获的载流子瞬间释放,使光激发电荷畴前高能载流子浓度升高,由于载流子激发的电场和外电场的叠加造成畴前电场的值远大于雪崩阈值电场。高浓度的高能量载流子和高于阈值的电场强度使雪崩电离率升高,造成更加强烈的碰撞电离,使载流子的倍增率升高。通过分析,指出延迟模式和电流过冲模式都是在电场或光能阈值临届条件下发生的。结合EL2能级的强电场特性,解释了这两种实验现象,补充和完善了光激发电荷畴理论,并为光激发电荷畴的研究和应用提供了思路。（2）GaAs光电导开关沿面闪络的研究GaAs光电导开关的损伤是一个非常复杂的物理过程,有表面闪络、局部电击穿、热击穿,这些都会造成开关的各种损伤现象,限制了开关的寿命。本文首先进行了寿命测试实验,总结了实验规律,发现闪络现象往往是在开关工作于非线性模式时发生,且闪络电流滞后于光电流,对比闪络光谱和空气击穿发光光谱,指出材料性能参数的变化与闪络密切相关。理论分析了闪络的形成机制,提出由于高场畴的形成造成表面处极不均匀的电场分布是闪络形成的关键,电流的热效应造成的气体解吸附导致了闪络电压的降低,提出沿面闪络发生在开关绝缘封装和空气的界面处,其实质上是诱发了开关表面的气体击穿放电。并对比了3个大气压下SF6介质绝缘环境中的闪络,发现闪络电压相对于空气中提高了一倍,从而验证了闪络机制的正确性。分析了钝化层和固体绝缘封装对闪络电压的影响,认为钝化降低了开关材料表面的表面态密度,抑制了表面缺陷俘获载流子造成的表面处电场的不均匀分布,从而使闪络电压提高。而绝缘强度非常高的透明绝缘封装的使用,从两个方面抑制了闪络的形成,一是较大的介电常数,使由于介质的极化造成表面电场减弱;二是抑制了气体的解吸附,从而提高了闪络电压。通过实验验证,证实了有绝缘封装比没有绝缘封装时的闪络电压要高得多。分析了开关的体击穿特性,指出开关在远小于其击穿场强下的体击穿实质上是热击穿,热击穿会导致电极的脱落和由于热膨胀造成的内应力使材料碎裂。（3）进行了半绝缘GaAs光电导开关强场下的瞬态触发的应用研究。分别用纳秒、皮秒、飞秒脉宽的激光脉冲触发的GaAs光电导开关,在强电场偏置下进行了超宽带电磁波辐射实验,得到了带宽为8GHz的超宽带电磁辐射。分析指出,辐射带宽由开关输出的电脉冲的上升时间来决定,提高开关的时间响应可以提高带宽,但是输出电流得不到高增益,功率受到了限制,因而对于兼顾增益和带宽要综合考虑。用单脉冲能量为1.6μJ的激光二极管触发半绝缘GaAs光电导开关,得到了激光二极管触发GaAs光电导开关输出的线性脉冲和非线性脉冲,获得了6kV偏置下,电流大于1kA的大电流输出。但弱光触发下,工作于强电场下的GaAs光电导开关,往往易发生闪络。基于EL2能级的俘获和热发射机制对GaAs光电导开关线性模式下的输出脉冲展宽特性进行了分析。首次在实验中观察到GaAs光电导开关在非线性模式下输出的电流脉宽小于触发激光脉冲的宽度,从理论上用光激发电荷畴的猝灭模式解释了这种现象。
倪娜[7]（2010）在《半绝缘碳化硅光导开关的仿真研究》文中提出本文探讨了衬底材料掺杂浓度、陷阱浓度、外界入射脉冲光及外加电压等因素对不同尺寸的光导开关的工作特性的影响,具体分析了其机理以及对于改善光导开关工作性能的意义。采用钒掺杂半绝缘n型6H-SiC作为衬底建立横向光导开关模型,当横向总宽度150μm、电极宽度30μm、纵向厚度15μm时,陷阱浓度为1×1015cm-3的光导开关暗电阻达3×106Ω,比陷阱浓度为1×1014cm-3的光导开关暗电阻率增加了高达104倍。因此通过控制陷阱浓度可以有效改善光导开关的暗态特性。瞬态光电流上升时间为1.06ns,下降时间约1.56ns。陷阱浓度越大,上升时间与下降时间也越小,但峰值光电流偏小。带隙中的深能级束缚自由电子实现补偿作用外,还有限制迁移率及载流子寿命等特点。器件工作于本征吸收模式,验证了Bohr频率定则,即入射光子的能量必须大于禁带宽度,才能得到有效的光电流。SiC光导开关尺寸增至1000μm×450μm,其电极为100μm,当光能密度为300W/cm2,入射光波长为300nm,外加电压为50V时,峰值电流可达25.1A/μm。上升时间为4.2ns左右,下降时间则稳定在8.62ns左右。为了使光导开关高速化,需要在减小光激励载流子移动距离的同时也使载流子高速移动,即要求减小电极间隔,增大外加电压。最后,本文还探讨了提高光电导开关的输出功率,优化关断特性,制作高质量的欧姆接触电极的方法以及本光导开关模型的工艺实现与性能测试的基本规划。
郑伟[8]（2009）在《基于光导开关的时域天线空间功率合成技术研究》文中指出本文结合了光导开关、时域超宽带天线和空间功率合成技术,对高功率电磁脉冲辐射进行了较为深入系统的研究。光导开关与其它电脉冲产生方式相比具有开关速度快、截止电压高、触发稳定、尺寸小等优点,在超宽带电磁信号的产生和高功率电磁脉冲领域具有重要应用。时域天线可辐射具有超宽带特性的窄脉冲,并且时域脉冲波形较容易在空间中叠加,在精确定位,隐身目标探测,尤其在空间功率合成领域具有重要作用。空间功率合成是产生高功率微波的最有效方法之一。天线阵列中各天线单元的波束在自由空间中实现功率合成,在目标处能够大幅度的提高辐射功率密度。时域天线阵列的空间功率合成是采用时域脉冲的形式在目标处实现瞬时的高能脉冲功率。本文首先介绍光导开关的电流输出波形,讨论光导开关的两种工作模式,给出光导开关的工作机理,阐述了产生光导开关两种模式的原因,对光导开关非线性模式工作的原理给出了解释。然后,对时域超宽带天线的参数进行了介绍,总结了时域超宽带天线的设计要求,确定时域超宽带天线的评价标准。本文对常见的几类超宽带天线形式进行了分析,设计了一种新型的高性能时域超宽带天线,称之为双极变张角天线。本文最后利用光导开关的电流响应作为天线的激励,采用双极变张角天线作为阵列单元,从仿真上模拟准确的光时延技术使天线阵列辐射的短脉冲在目标处实现同步,并考察了天线阵列的空间功率合成效果。
刘鹏举[9]（2008）在《高隔离度光控微波开关的理论与技术研究》文中提出本文针对可应用于微波系统中的光控微波开关进行了研究。提出了以微带谐振单元,结合光敏半导体Si（硅）片的加载,实现光控微波开关的设计方案,并基于这些方案设计了具有较高隔离度并且结构紧凑的光控微波开关。第一章介绍了光控微波开关的应用背景、优点,国内外的研究概况和本课题所做的主要工作。光控微波开关是为了解决在现有可重构天线和其它微波系统中存在的电磁兼容问题而提出来的。与传统开关相比,由于其不需要偏置电路和电控制信号的,对微波系统将不会产生不必要的电磁干扰。在光控微波开关的设计中,如何提高其隔离度以满足系统的需求,是本文所要解决的问题。第二章介绍光电导效应及其合理的分析模型。为了使复杂的光电导效应能够有效地应用于本文中,本章对其进行了合理的建模分析,并对光敏材料进行了选择。在所建模型中,要求光生载流子层的等效深度要近似等于所加载Si片的厚度,以保证开关导通时较低的插入损耗。最后本章对本文光控微波开关的工作原理进行了阐述。第三章介绍微带谐振单元的设计。为了实现光控微波开关的高隔离度,本章引入微带谐振单元以满足设计要求。基于微带谐振单元所提供的频率阻带效果,将其应用于提高开关隔离度的设计中,具有一定的可行性。仿真与实验结果表明,这些谐振单元具有较为明显的阻带效果和紧凑的结构。第四章主要介绍了高隔离度光控微波开关的设计。本章基于Si片的光电导效应和微带线谐振单元的特性,形成了具有高隔离度且结构紧凑的谐振型光控微波开关。为了使所加载的Si片紧密地固定在微带谐振单元所在平面上,并确保Si片与微带线具有良好的接触,结合第二章的相关内容,本章对Si片进行了一些改进处理。开关的实验数据表明,设计基本达到了高隔离度的指标要求。接着,本章对设计中出现显着影响开关性能的现象进行了分析。第五章对课题所做的工作进行了总结,并对后续研究工作进行了展望。
杨瑜[10]（2007）在《基于光导开关的瞬态电磁脉冲系统》文中研究指明超宽带源和天线在瞬态雷达和通信系统中具有广泛的应用前景。目前,超宽带电磁脉冲的产生是一个极具挑战性的工作。它可以产生100ps上升沿,电压幅度超过10kV,脉冲宽度可从130ps到几个ns。产生超宽带电磁脉冲的关键是高压开关技术。人们已经使用气体和油作为开关介质完成了各种实验。与传统的气体或液体开关相比,光导固体开关（photoconductive semiconductor switches,简称PCSS）由于具有触发无抖动、寄生电抗小、上升时间快、关断时间短、重复频率高等优良特性。而在光导开关中,GaAs光导开关与Si光导开关相比具有响应速度快、传输效率高、耐高压的能力强,尤其是它除可以按常规的线性模式工作以外,还存在一种高增益的非线性工作模式,这种模式可使光导开关导通的光能比常规模式降低35个数量级,从而为光导开关的小型化,实用化,集成化提供了现实的可能性,因而倍受人们的关注。因此它将在超宽带脉冲产生领域有着极其广阔的应用前景。本文主要研究了各种以光导开关为核心器件的电脉冲成形电路:Auston电路、Blumlein脉冲形成线,对其输出转换效率进行比较,并进行实验研究。设计了一种微带型Blumlein线,实验测得其最高电压转换效率达98.9%,并通过指数渐变槽天线实现电磁脉冲的辐射。另外,还通过研究各种重要的复合机制,漂移和扩散作用等对光导开关光电导响应的影响,建立了线性模式下的瞬态响应模型,模拟得到光导开关输出电脉冲特性曲线。慢衰减电磁波的研究是当前电磁学的前沿课题之一,其应用领域十分广泛,如超宽频带雷达、超宽保密通信和高能微波等。本文对脉冲传播慢衰减特性进行了详尽分析。总结了圆盘辐射器模型的脉冲传播时域结果,分析了激励脉冲波形对圆盘辐射器远场特性的影响,给出了轴线处的近远场电场、磁场和能量传播规律。
二、一种新型的光控光导半导体开关解析模型（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、一种新型的光控光导半导体开关解析模型（论文提纲范文）
（1）基于半绝缘GaAs电触发非线性模式新型脉冲压缩二极管特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 脉冲功率开关 |
| 1.3 本文主要工作 |
| 2 SI-Ga As MIM电触发非线性模式特性 |
| 2.1 SI-Ga As材料基本性质 |
| 2.1.1 GaAs材料基本特性 |
| 2.1.2 SI-Ga As中的EL2 深能级缺陷 |
| 2.1.3 GaAs光电导开关非线性模式 |
| 2.2 SI-Ga As MIM电触发非线性模式基本特性 |
| 2.2.1 SI-Ga As MIM样品的制备 |
| 2.2.2 SI-Ga As MIM电触发非线性模式基本特性 |
| 2.2.3 MIM结构样品脉冲压缩应用中存在的问题 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 利用SI-Ga As MIM样品下降沿触发特性实现串、并联 |
| 3.1 SI-Ga As MIM样品下降沿触发机理分析 |
| 3.2 MIP二极管并联脉冲输出特性研究 |
| 3.2.1 开关器件并联难点及常用解决方案 |
| 3.2.2 MIP二极管并联研究 |
| 3.3 MIP二极管串联脉冲输出特性研究 |
| 3.3.1 开关器件串联难点及常用解决方案 |
| 3.3.2 MIP二极管串联研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 MIP结构样品特性研究 |
| 4.1 SI-Ga As样品寿命问题研究 |
| 4.1.1 SI-Ga As光电导开关失效 |
| 4.1.2 其他开关的失效 |
| 4.1.3 SI-Ga As MIM样品失效原因与解决方案 |
| 4.2 SI-Ga As外延pn结样品 |
| 4.2.1 MIP二极管的制备 |
| 4.2.2 MIP二极管的特性 |
| 4.3 MIP二极管的通态电阻 |
| 4.3.1 其他器件通态电阻 |
| 4.3.2 MIP二极管通态电阻 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 研究工作总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（2）半导体光导开关测试系统开发及其电学性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光导开关研究背景及意义 |
| 1.2 光导开关的发展及现状 |
| 1.2.1 发展历程 |
| 1.2.2 研究现状及问题 |
| 1.3 论文的主要内容 |
| 第二章 光导开关技术简介 |
| 2.1 光导开关工作特性简介 |
| 2.1.1 光导开关导通机制 |
| 2.1.2 光导开关的材料 |
| 2.1.3 光导开关的结构 |
| 2.2 光导开关的工作模式 |
| 2.2.1 线性工作模式 |
| 2.2.2 非线性工作模式 |
| 2.3 光导开关测试平台需求分析 |
| 2.3.1 实验平台整体结构 |
| 2.3.2 实验平台工作流程 |
| 2.3.3 光导开关样品分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 光导开关的电路系统设计 |
| 3.1 电路系统整体分析 |
| 3.1.1 电路设计软件 |
| 3.1.2 线路关联分析 |
| 3.2 激光二极管驱动电路 |
| 3.2.1 激光与激光二极管技术简介 |
| 3.2.2 激光二极管驱动电路方案研究 |
| 3.2.3 激光二极管驱动电路设计 |
| 3.2.4 激光二极管驱动电路调试 |
| 3.3 系统控制与供电电路 |
| 3.3.1 系统控制电路设计 |
| 3.3.2 光电同步功能设计 |
| 3.4 前面板电路与外壳设计 |
| 3.4.1 前面板控制电路 |
| 3.4.2 机箱外壳设计 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 系统平台和传输线设计 |
| 4.1 脉冲形成线设计 |
| 4.1.1 Blumlein脉冲形成线原理 |
| 4.1.2 Blumlein脉冲形成线设计 |
| 4.2 微带Blumlein传输线的仿真模拟 |
| 4.2.1 基于CST的Blumlein脉冲形成线仿真 |
| 4.2.2 Blumlein脉冲形成线寄生参数分析 |
| 4.3 Blumlein传输线模块的制作 |
| 4.4 三维可调光平台设计 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 光导开关测试平台功能测试与结果分析 |
| 5.1 激光二极管输出光能量实验 |
| 5.2 Ga As光导开关不同电压下的输出测试 |
| 5.2.1 光电同步信号的延迟测定 |
| 5.2.2 GaAs光导开关的临界电压测试 |
| 5.3 GaAs光导开关重频下的导通测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（3）高压光控脉冲晶闸管设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 新型高压固态开关的研究意义 |
| 1.1.1 脉冲功率技术的发展 |
| 1.1.2 固态开关在重频脉冲功率中的应用 |
| 1.1.3 高压光控脉冲晶闸管的背景需求 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 多种固态开关及其应用 |
| 1.2.2 多种应用于脉冲功率的半导体开关对比 |
| 1.3 本文的研究工作 |
| 1.3.1 研究思路的提出 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 1.3.3 论文的结构安排 |
| 第二章 高压光控脉冲晶闸管原理与特性 |
| 2.1 高压光控脉冲晶闸管工作原理 |
| 2.2 器件的高电压特性 |
| 2.3 器件的光控制特性 |
| 2.4 器件的脉冲特性 |
| 第三章 高压光控脉冲晶闸管设计 |
| 3.1 半导体芯片仿真设计 |
| 3.1.1 半导体工艺与器件仿真软件 |
| 3.1.2 现有半导体工艺能力 |
| 3.1.3 高压光控脉冲晶闸管静态仿真 |
| 3.1.4 高压光控脉冲晶闸管的动态仿真 |
| 3.1.5 高压光控脉冲晶闸管的电流集中效应 |
| 3.1.6 载流子浓度与器件开启过程 |
| 3.1.7 回路电感与器件开通过程 |
| 3.1.8 激光参数对高压光控脉冲晶闸管的影响 |
| 3.1.9 计算载流子横向扩展速度 |
| 3.1.10 计算元胞宽度 |
| 3.1.11 器件优化设计及网格布局 |
| 3.1.12 高压光控脉冲晶闸管工艺流程 |
| 3.2 器件外壳设计 |
| 3.2.1 三维机械设计软件 |
| 3.2.2 高压大功率器件外壳设计 |
| 3.2.3 高压光控脉冲晶闸管封装工艺 |
| 3.3 器件电场仿真设计 |
| 3.3.1 电场仿真设计软件 |
| 3.3.2 高压器件电场分析计算 |
| 3.3.3 高压光控脉冲晶闸管结构电场优化设计 |
| 3.4 激光触发电路及放电回路设计 |
| 3.4.1 射频功率电子电路设计软件 |
| 3.4.2 激光二极管驱动电路设计 |
| 3.4.3 高压光控脉冲晶闸管主回路设计 |
| 3.5 大功率激光二极管及耦合光路设计 |
| 3.5.1 激光光路设计软件 |
| 3.5.2 现有激光二极管芯片能力 |
| 3.5.3 高功率激光二极管芯片阵列设计 |
| 3.5.4 高功率激光二极管封装技术 |
| 3.5.5 高功率激光耦合光路设计 |
| 3.5.6 微纳光纤及耦合结构 |
| 3.5.7 光强分布与光斑形状测量 |
| 第四章 高压光控脉冲晶闸管的测试 |
| 4.1 器件测试与控制平台设计 |
| 4.1.1 功率半导体器件测试平台 |
| 4.1.2 虚拟仪器软件 |
| 4.1.3 基于虚拟仪器的器件测试与控制平台 |
| 4.2 实验数据分析软件设计 |
| 4.2.1 实验数据统计分析软件介绍 |
| 4.2.2 数据分析输入输出参数 |
| 4.2.3 软件设计及运行 |
| 第五章 高压光控脉冲晶闸管实验 |
| 5.1 激光触发实验结果 |
| 5.2 激光触发耦合测试结果 |
| 5.3 高压光控脉冲晶闸管测试结果 |
| 第六章 结论 |
| 6.1 本文的主要贡献 |
| 6.2 下一步工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（4）超材料周期结构的吸波应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 超材料概述 |
| 1.3 电磁吸波材料概述 |
| 1.4 超材料在电磁吸波材料中的应用研究 |
| 1.4.1 单频吸波结构 |
| 1.4.2 双/多频吸波结构 |
| 1.4.3 宽带吸波结构 |
| 1.4.4 频率选择表面吸波结构 |
| 1.4.5 可调谐吸波结构 |
| 1.5 本文主要内容及创新点 |
| 1.5.1 本文的主要内容 |
| 1.5.2 本文的主要创新点 |
| 第二章 超材料吸波器的分析理论及仿真测试 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 研究方法 |
| 2.2.1 等效媒质理论 |
| 2.2.2 等效电路理论 |
| 2.2.3 等效反射干涉理论 |
| 2.3 数值仿真 |
| 2.4 实验测试方法 |
| 2.4.1 波导加载测试 |
| 2.4.2 自由空间测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 小型化多频超材料吸波器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 M-M分形MMA |
| 3.2.1 Minkowski分形结构 |
| 3.2.2 M-M分形MMA结构 |
| 3.2.3 M-M分形MMA吸波性能分析 |
| 3.3 I-M分形MMA |
| 3.3.1 I-M分形MMA结构 |
| 3.3.2 I-M分形MMA吸波性能分析 |
| 3.3.3 I-M分形MMA几何参数分析 |
| 3.3.4 加工与实验测试 |
| 3.4 六频超薄MMA |
| 3.4.1 六频超薄MMA结构 |
| 3.4.2 六频超薄MMA吸波性能分析 |
| 3.4.3 六频超薄MMA几何参数分析 |
| 3.4.4 加工与实验测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 开关可调吸收频率选择表面 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 AFSS等效电路理论 |
| 4.3 开关可调AFSS |
| 4.3.1 开关可调AFSS结构 |
| 4.3.2 开关可调AFSS等效电路分析 |
| 4.3.3 开关可调AFSS传输/吸波性能分析 |
| 4.3.4 阻抗表面层PIN二极管馈电网络设计 |
| 4.3.5 入射角对传输/吸波性能影响 |
| 4.3.6 PMI参数分析 |
| 4.3.7 加工及实验测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 有源可调吸收频率选择表面 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 有源可调AFSS |
| 5.2.1 有源可调AFSS结构 |
| 5.2.2 有源可调AFSS等效电路分析 |
| 5.2.3 有源可调AFSS传输/吸波性能分析 |
| 5.2.4 阻抗表面层PIN二极管馈电网络设计 |
| 5.2.5 入射角对传输/吸波性能影响 |
| 5.2.6 PMI参数分析 |
| 5.2.7 加工与实验测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 有源THz超材料吸波调制器件 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 基于光导硅基的极化旋转/吸波THz开关 |
| 6.2.1 光导硅基材料 |
| 6.2.2 极化旋转/吸波THz开关结构 |
| 6.2.3 极化旋转/吸波THz开关性能分析 |
| 6.2.4 极化旋转/吸波机理 |
| 6.2.5 极化方向对极化旋转/吸波性能影响 |
| 6.2.6 入射角对极化旋转/吸波性能影响 |
| 6.2.7 介质厚度参数分析 |
| 6.3 基于VO2的温控宽带极化调制器 |
| 6.3.1 二氧化钒性能 |
| 6.3.2 宽带THz极化调制器结构 |
| 6.3.3 调制性能分析 |
| 6.3.4 宽带THz极化调制器调制机理 |
| 6.4 基于VO_2的温控THz超材料调制器 |
| 6.4.1 THz超材料调制器结构 |
| 6.4.2 调制性能分析 |
| 6.4.3 THz超材料调制器调制机理 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 本文的主要工作及成果 |
| 7.2 后续研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（5）认知无线电系统中光控频率可重构天线的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 认知无线电系统 |
| 1.2.1 认知无线电技术简介 |
| 1.2.2 认知无线电系统对天线的要求及开关的选择 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.4 本文主要的工作以及内容的安排 |
| 第二章 认知无线电光控频率可重构天线设计理论 |
| 2.1 天线基础理论 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 天线基本参数 |
| 2.2 超宽带单极子天线设计理论 |
| 2.3 半导体光导开关的基本理论及特性 |
| 2.3.1 半导体的基本特性 |
| 2.3.2 硅半导体开关 |
| 2.4 总结 |
| 第三章 认知无线电光控频率可重构天线的设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 认知无线电光控频率可重构天线的设计 |
| 3.2.1 天线的结构 |
| 3.2.2 参数分析 |
| 3.3 天线实物制作和测量 |
| 3.3.1 实验设备介绍 |
| 3.3.2 硅光导开关的设计 |
| 3.3.3 实验的结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 地板形状可调的认知无线电光控频率可重构天线 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 地板形状可调的认知无线电光控频率可重构天线的设计 |
| 4.2.1 天线结构 |
| 4.2.2 天线的参数分析 |
| 4.3 天线的实物制作与测量 |
| 4.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（6）半绝缘GaAs光电导开关的强场输运规律及闪络机制的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 光电导开关的发展历程 |
| 1.2 光电导开关的应用背景 |
| 1.2.1 超宽带(Ultra-wide band,UWB)脉冲源 |
| 1.2.2 太赫兹(THz)辐射 |
| 1.2.3 高功率电磁脉冲源 |
| 1.3 光电导开关的基本结构 |
| 1.4 光电导开关的研究现状和关键技术 |
| 1.4.1 关于高倍增光电导开关的理论模型 |
| 1.4.2 开关损伤机制研究 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 2 半绝缘GaAs光电导开关的基底材料特性及其工作特性 |
| 2.1 GaAs材料的性质 |
| 2.1.1 GaAs材料的能带结构及主要特征 |
| 2.1.2 LEC半绝缘GaAs(SI-GaAs)补偿机制及制备 |
| 2.1.3 LEC SI-GaAs材料中EL2 能级的特性 |
| 2.2 LEC SI-GaAs材料的光吸收特性 |
| 2.2.1 本征吸收(也称基本吸收) |
| 2.2.2 非本征吸收 |
| 2.2.3 外扰条件对本征吸收限的影响 |
| 2.3 LEC SI-GaAs材料的高场效应 |
| 2.3.1 转移电子效应 |
| 2.3.2 雪崩碰撞效应 |
| 2.4 GaAs光电导开关的工作模式及主要实验规律 |
| 2.4.1 线性工作模式 |
| 2.4.2 非线性工作模式 |
| 2.5 本章小结 |
| 3.高增益LEC SI-GaAs光电导开关的物理机制 |
| 3.1 光激发电荷畴模型 |
| 3.1.1 畴形成的基本条件 |
| 3.1.2 光激发电荷畴的产生和演变 |
| 3.1.3 光激发电荷畴的特点 |
| 3.1.4 光激发电荷畴的不足 |
| 3.2 高倍增模式下瞬态电场分布 |
| 3.3 LEC SI-GaAs光电导开关的高倍增模式 |
| 3.3.1 实验测试电路及装置 |
| 3.3.2 实验测试结果及初步分析 |
| 3.4 Lock-on效应延迟模式机理分析 |
| 3.4.1 EL2 能级对半绝缘GaAs PCSS内载流子产生和复合的影响 |
| 3.4.2 半绝缘EL2:GaAs光电导开关载流子的输运方程 |
| 3.4.3 EL2 能级的俘获和发射对电场的依赖 |
| 3.5 延迟模式的理论分析结果 |
| 3.6 Lock-on过冲模式研究 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 强电场下GaAs PCSS沿面闪络实验现象与机理分析 |
| 4.1 GaAs PCSS的设计 |
| 4.1.1 开关的表面钝化 |
| 4.1.2 开关的绝缘和耐压设计 |
| 4.2 开关的寿命测试实验 |
| 4.2.1 实验 |
| 4.2.2 实验规律 |
| 4.3 沿面闪络机理分析 |
| 4.3.1 现有的理论模型 |
| 4.3.2 高倍增模式下的电场畸变和丝状电流的形成 |
| 4.3.3 气体放电规律 |
| 4.3.4 光子作用下沿面闪络机理分析 |
| 4.3.5 固体绝缘封装对开关闪络电压的影响 |
| 4.4 开关的体击穿特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 半绝缘GaAs光电导开关在强电场偏置下的应用研究 |
| 5.1 强电场下用半绝缘GaAs光电导开关产生超宽带电磁辐射 |
| 5.1.1 实验及结果 |
| 5.1.2 实验结果分析 |
| 5.2 强电场下激光二极管触发半绝缘GaAs光电导开关特性研究 |
| 5.2.1 实验 |
| 5.2.2 实验结果分析 |
| 5.3 本章小节 |
| 6 工作总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（7）半绝缘碳化硅光导开关的仿真研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究的目的和意义 |
| 1.2 研究的背景 |
| 1.3 主要的研究工作 |
| 第二章 光导开关的工作原理及材料特性 |
| 2.1 光导开关的基本原理与结构 |
| 2.1.1 基本工作原理 |
| 2.1.2 光导开关的结构分类 |
| 2.1.3 光导开关的应用前景 |
| 2.2 光导开关的材料特性及材料选取 |
| 2.2.1 材料参数对光导开关性能的影响 |
| 2.2.2 不同材料光导开关的差异及存在问题 |
| 2.3 对半绝缘SiC 材料的研究 |
| 2.3.1 高纯本征半绝缘SiC |
| 2.3.2 离子轰击产生深能级陷阱 |
| 2.3.3 掺入深能级杂质补偿载流子 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 SiC 光导开关的模型建立与模拟仿真 |
| 3.1 SiC 光导开关器件模型的建立 |
| 3.1.1 SiC 光导开关仿真平台简介 |
| 3.1.2 SiC 光导开关器件模型的建立 |
| 3.2 暗态特性的研究 |
| 3.3 脉冲光触发的瞬态特性研究 |
| 3.3.1 陷阱浓度对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 |
| 3.3.2 入射光波长对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 |
| 3.3.3 入射光能功率密度对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 |
| 3.3.4 外加偏置电压对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 |
| 3.4 大模型尺寸的SiC 光导开关的研究 |
| 3.4.1 模型结构的建立 |
| 3.4.2 工作特性的仿真验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 制备工艺及相关测试 |
| 4.1 SiC-PCSS 存在的问题 |
| 4.1.1 欧姆接触电极 |
| 4.1.2 关断特性 |
| 4.1.3 存在的其它问题 |
| 4.1.4 非本征光电导的SiC 光导开关 |
| 4.2 器件的工艺流程与测试设计 |
| 4.2.1 工艺流程设计 |
| 4.2.2 测试电路与测试规划 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（8）基于光导开关的时域天线空间功率合成技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 光导开关在电磁学中的应用 |
| 1.1.1 光导开关在高功率超宽带电磁脉冲中的应用 |
| 1.1.2 基于光导开关的时域天线技术 |
| 1.2 时域超宽带的发展水平 |
| 1.2.1 时域电磁场的分析方法 |
| 1.2.2 时域天线的研究现状 |
| 1.3 空间功率合成的发展前景 |
| 1.3.1 空间功率合成的分类 |
| 1.3.2 空间功率合成的应用 |
| 1.4 论文的主要工作和结构安排 |
| 第二章 光导开关基础理论和工作原理 |
| 2.1 光导开关研究基础 |
| 2.1.1 光导开关技术的国内外研究进展 |
| 2.1.2 光导开关的类型 |
| 2.1.3 光导开关技术面临的问题及研究方向 |
| 2.2 光导开关的工作模式及特性 |
| 2.2.1 光导开关的线性工作模式及特性 |
| 2.2.2 光导开关的非线性工作模式及特性 |
| 2.2.3 光导开关工作两种响应模型的工作原理 |
| 第三章 时域超宽带天线研究 |
| 3.1 传统超宽带天线介绍 |
| 3.1.1 天线带宽的表示方法 |
| 3.1.2 天线带宽的定义 |
| 3.1.3 超宽带天线的定义 |
| 3.1.4 超宽带天线技术的应用及优势 |
| 3.2 时域天线参数及定义 |
| 3.2.1 时域天线参数定义 |
| 3.2.2 时域天线的评价标准 |
| 3.2.3 时域天线的设计原则 |
| 3.3 传统非频变天线分析 |
| 3.3.1 对数周期天线 |
| 3.3.2 平面螺旋天线 |
| 3.4 盘锥天线到TEM 喇叭天线的演变 |
| 3.4.1 盘锥天线 |
| 3.4.2 双锥天线到领结天线 |
| 3.4.3 TEM 喇叭天线 |
| 3.5 新型定向时域超宽带天线类型 |
| 3.5.1 Vivaldi 天线 |
| 3.5.2 Valentine 天线 |
| 3.5.3 双极变张角天线 |
| 第四章 时域阵列空间功率合成技术的研究 |
| 4.1 时域阵列空间功率合成的原理 |
| 4.1.1 时域阵列参数 |
| 4.1.2 空间功率合成的原理 |
| 4.1.3 空间功率合成的关键技术 |
| 4.2 光导开关线性工作模式下的时域阵列空间功率合成 |
| 4.2.1 不同阵列摆放的空间功率合成 |
| 4.2.2 空间功率合成的扫面结果 |
| 4.3 光导开关线性非工作模式下的时域阵列空间功率合成 |
| 4.3.1 直线逼近模型 |
| 4.3.2 线性衰减模型 |
| 4.3.3 曲线拟合模型 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 本文工作总结 |
| 5.2 研究前景展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
（9）高隔离度光控微波开关的理论与技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究的背景及意义 |
| 1.2 国内外研究概况 |
| 1.3 本文主要研究内容和创新 |
| 第二章 光电导效应及其建模 |
| 2.1 光电导效应的基本原理 |
| 2.1.1 光电导效应的基本概念 |
| 2.1.2 光电导效应的描述 |
| 2.2 光电导效应的建模 |
| 2.2.1 现有文献中所提出的模型 |
| 2.2.2 本文中所应用的模型 |
| 2.2.3 光敏半导体材料的选择 |
| 2.3 本文开关的基本工作原理 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 微带谐振单元的设计 |
| 3.1 微带线传输特性 |
| 3.1.1 有效介电常数与特性阻抗 |
| 3.1.2 色散特性 |
| 3.2 微带谐振单元结构设计 |
| 3.2.1 开环结构 |
| 3.2.2 带上谐振结构 |
| 3.2.3 设计误差分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 高隔离度光控微波开关的设计 |
| 4.1 开关的整体结构 |
| 4.1.1 光敏材料的加载 |
| 4.1.2 激光扩束准直件 |
| 4.2 测试系统 |
| 4.3 开环结构的开关 |
| 4.3.1 开关A |
| 4.3.2 仿真及实验结果 |
| 4.3.3 小结 |
| 4.4 带上谐振结构的开关 |
| 4.4.1 开关B |
| 4.4.2 开关C |
| 4.4.3 开关D |
| 4.4.4 小结 |
| 4.5 一些影响设计因素的分析 |
| 4.5.1 间隙的影响 |
| 4.5.2 Si片介电常数的影响 |
| 4.5.3 载流子等效深度的影响 |
| 4.5.4 介质基板厚度的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（10）基于光导开关的瞬态电磁脉冲系统（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 光导开关的历史 |
| 1.3 光导开关的研究现状 |
| 1.4 本文研究内容 |
| 第二章 瞬态电磁脉冲传输规律 |
| 2.1 同轴线传输特性分析 |
| 2.1.1 理论分析 |
| 2.1.2 实验研究 |
| 2.2 超宽带电磁脉冲在均匀圆盘电流辐射器模型下的传输特性 |
| 2.2.1 理论分析 |
| 2.2.2 实验与讨论 |
| 2.2.3 结论 |
| 第三章 光导开关物理机制 |
| 3.1 PCSS 线性工作模式的物理机制 |
| 3.1.1 载流子连续性方程 |
| 3.1.2 载流子的复合 |
| 3.1.3 光生载流子 |
| 3.1.4 载流子的扩散运动 |
| 3.1.5 各种复合机制对光导开关瞬态光电导的影响 |
| 3.1.6 数值计算 |
| 3.1.7 数值计算结果分析 |
| 3.1.8 总结 |
| 3.2 光导开关非线性工作模式的物理机制 |
| 第四章 脉冲形成线电路 |
| 4.1 普通型微带电路 |
| 4.1.1 普通型微带电路的工作原理 |
| 4.1.2 Auston 电路实验测试 |
| 4.2 BLUMLEIN 脉冲成形线 |
| 4.2.1 Blumlein 线原理 |
| 4.2.2 Blumlein 线解析分析 |
| 4.2.3 Pspice 软件仿真 |
| 4.2.4 Blumlein 线实验 |
| 4.2.5 结论 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的成果 |
四、一种新型的光控光导半导体开关解析模型（论文参考文献）
- [1]基于半绝缘GaAs电触发非线性模式新型脉冲压缩二极管特性研究[D]. 鲁霄月. 西安理工大学, 2020(01)
- [2]半导体光导开关测试系统开发及其电学性质的研究[D]. 霍晨龙. 电子科技大学, 2019(01)
- [3]高压光控脉冲晶闸管设计与实现[D]. 王凌云. 电子科技大学, 2018(01)
- [4]超材料周期结构的吸波应用研究[D]. 余定旺. 国防科技大学, 2017(02)
- [5]认知无线电系统中光控频率可重构天线的研究[D]. 廖厚碧. 华南理工大学, 2017(06)
- [6]半绝缘GaAs光电导开关的强场输运规律及闪络机制的研究[D]. 纪卫莉. 西安理工大学, 2014
- [7]半绝缘碳化硅光导开关的仿真研究[D]. 倪娜. 西安电子科技大学, 2010(11)
- [8]基于光导开关的时域天线空间功率合成技术研究[D]. 郑伟. 电子科技大学, 2009(11)
- [9]高隔离度光控微波开关的理论与技术研究[D]. 刘鹏举. 电子科技大学, 2008(05)
- [10]基于光导开关的瞬态电磁脉冲系统[D]. 杨瑜. 电子科技大学, 2007(06)